Монографии - Технические и инженерные науки

Технология вертолетостроения. Технология производства лопастей вертолетов и авиационных конструкций из полимерных композиционных материалов / Б.Н. Слюсарь, М.Б. Флек, Е.С. Гольдберг [и др.]. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2013. – 230 с. – ISBN 978-5-4358-0

Пащенко А.С., Пляка П.С., Пономаренко В.О. Ионно-плазменные технологии в микро- и наноэлектронике. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2013. – 176 с. – ISBN 978-5-4358-0057-9

Чеботарев С.Н., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л. Наноструктуры AIVBIV и AIIIBV для устройств оптоэлектроники. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2014. – 275 с. – ISBN 978-5-4358-0086-9

Широков, В.Б., Юзюк, Ю.И. Сегнетоэлектричество и фазовые переходы в титанате бария-стронция. Феноменологический подход / В.Б. Широков, Ю.И. Юзюк; Южный научный центр РАН. Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2015. 160 с. ISBN 978-5-4358-0124-8.

Щербатов И.А. Управление сложными слабоформализуемыми многокомпонентными системами: монография / И.А. Щербатов. Ростов н/Д : Изд-во ЮНЦ РАН, 2015. 268 с. ISBN 978-5-4358-0107-1

Чернухин Ю.В., Гузик В.Ф., Поленов М.Ю. Многоязыковая трансляция средств виртуального моделирования. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2009. – 368 с. – ISBN 978-5-902982-63-0.

Матишов Г.Г., Пономарёв С.В., Пономарёва Е.Н. Инновационные технологии индустриальной аквакультуры в осетроводстве / под общ. ред. акад. С.В. Пономарёва. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2007. – 368 с. – ISBN 978-5-902982-20-3.

Реконфигурируемые мультиконвейерные вычислительные структуры / И.А. Каляев, И.И. Левин, Е.А. Семерников, В.И. Шмойлов; под общ. ред. И.А. Каляева. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. – 320 с. – ISBN 978-5-902982-32-6.

Авторы: И.А. Каляев, И.И. Левин, Е.А. Семерников, В.И. Шмойлов
Название издания: Реконфигурируемые мультиконвейерные вычислительные структуры
Специфические сведения: –
Год выпуска: 2008
Количество страниц: 320 с.
Цена (для книг из раздела «Книги в наличии»): –
Аннотация: В книге рассматриваются реконфигурируемые мультиконвейерные вычислительные структуры. Излагаются общие принципы построения вычислительных структур данного класса, описывается реализация реконфигурируемых мультиконвейерных структур на однородных вычислительных средах и программируемых логических интегральных схемах высокой степени интеграции. Разработанная система программного обеспечения реконфигурируемых мультиконвейерных вычислительных структур позволяет приблизить процесс их программирования к программированию традиционных многопроцессорных вычислительных систем.

Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. – 224 с. – ISBN 978-5-902982-42-5.

Авторы: В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк
Название издания: Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение
Специфические сведения: –
Год выпуска: 2008
Количество страниц: 224 с.
Цена (для книг из раздела «Книги в наличии»): –
Аннотация: Книга освещает круг вопросов, посвященных исследованию гетероструктур с наноразмерными сегнетоэлектрическими пленками на диэлектрических подложках. Приведены экспериментальные данные о физико- химических процессах, сопутствующих росту сегнетоэлектрических пленок в монокристаллическом состоянии, об особенностях проявления сегнетоэлектрического состояния при изменении толщины пленки от 6 нм до 2 мкм. Показано, что появление новых свойств в наноразмерных сегнетоэлектриках открывает широкие перспективы для их использования в функциональной микроэлектронике.

Физика кристаллизации и дефектов твердотельных структур на микро- и наноуровнях / А.В. Благин, В.В. Калинчук, В.И. Лебедев, Л.С. Лунин. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2009. – 288 с. – ISBN 978-5-902982-67-8.

Авторы: А.В. Благин, В.В. Калинчук, В.И. Лебедев, Л.С. Лунин
Название издания: Физика кристаллизации и дефектов твердотельных структур на микро- и наноуровнях
Специфические сведения: –
Год выпуска: 2009
Количество страниц: 288 с.
Цена (для книг из раздела «Книги в наличии»): –
Аннотация: Рассмотрены условия кристаллизации полупроводниковых структур на основе многокомпонентных твердых растворов A³B³ в условиях жидкофазной эпитаксии. Существенно новым подходом является учет размерных эффектов, заметно проявляющихся при формировании твердотельных структур, хотя бы один размер которых составляет сотни нанометров и менее. Представлены механизмы дефектообразования в двухфазных системах «расплав – кристалл».