С.н.с. группы технологии гетероструктур ЮНЦ РАН (г. Ставрополь), к.т.н. Олег Девицкий рассказал о своей работе.
#НацпроектНАУКА #ДесятилетиеНауки
30-10-2022
Старший научный сотрудник группы технологии гетероструктур ЮНЦ РАН (г. Ставрополь), кандидат технических наук Олег Девицкий получает и исследует многокомпонентные тонкие пленки твердых растворов соединений III-V и их разбавленных нитридов и висмутидов, которые имеют перспективу практического применения в солнечных элементах, лазерах, а также фотодетекторах инфракрасного диапазона.
Совместными исследованиями ЮНЦ РАН, ЮРГПУ(НПИ) им. М.И. Платова (г. Новочеркасск) и Северо-Кавказского федерального университета (г. Ставрополь) руководят заведующий лабораторией физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН, кандидат физико-математических наук Александр Пащенко и главный научный сотрудник ЮНЦ РАН, доктор физико-математических наук Леонид Сергеевич Лунин.
Физик Олег Девицкий:
"Интерес к науке у меня появился ещё в школе, в 9-11 классах я становился призером краевых олимпиад по химии. Поступил в Северо-Кавказский федеральный университет на специальность "Нанотехнология" и получил возможность реализовать свои теоретические знания на практике. На 3 курсе я подготовил свою первую научную публикацию. После окончания магистратуры, меня рекомендовали к поступлению в аспирантуру. Профессию ученого я выбрал осознано.
Мною была модернизирована лабораторная установка импульсного лазерного напыления и проведены достаточно большой объем исследований по получению тонких пленок соединений III-V на кремниевых подложках для применения в оптоэлектронике. Результаты этих исследований легли в основу моей кандидатской диссертации, которую я защитил в 2017 году в Южно-Российском государственном политехническом университете (НПИ) имени М.И. Платова.
Сейчас я работаю над проектом, направленным на разработку синтеза новых полупроводниковых материалов на основе соединений III-V-N-Bi на разных подложках и создание на их основе гетероструктур для использования в спектральном диапазоне 0,3 - 3 мкм. Разрабатываемый класс материалов имеет потенциал для использования в инжекционных полупроводниковых лазерах, каскадных солнечных элементах, а также в высокоэффективных фотодетекторах ИК-диапазона.
Надеюсь, что будущие научно-технические результаты будут соответствать мировому уровню исследований по данной теме и, вероятнее всего, станут основой моей докторской диссертации. Работать, конечно, буду в России, потому что связываю свою жизнь с российской наукой и вижу себя в будущем только в России."
Вероника Белоцерковская
Фото предоставлено Олегом Девицким
Сейчас я работаю над проектом, направленным на разработку синтеза новых полупроводниковых материалов на основе соединений III-V-N-Bi на разных подложках и создание на их основе гетероструктур для использования в спектральном диапазоне 0,3 - 3 мкм. Разрабатываемый класс материалов имеет потенциал для использования в инжекционных полупроводниковых лазерах, каскадных солнечных элементах, а также в высокоэффективных фотодетекторах ИК-диапазона.
Надеюсь, что будущие научно-технические результаты будут соответствать мировому уровню исследований по данной теме и, вероятнее всего, станут основой моей докторской диссертации. Работать, конечно, буду в России, потому что связываю свою жизнь с российской наукой и вижу себя в будущем только в России."
Вероника Белоцерковская
Фото предоставлено Олегом Девицким
