Физик ЮНЦ РАН Александр Пащенко выступил с докладом

на 15 Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники (г. Москва).

20-05-2024

Физик ЮНЦ РАН Александр Пащенко выступил на 15 Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники (г. Москва). Очередные «Мокеровские чтения» прошли в мае в Национальном Исследовательском Ядерном Университете «МИФИ» . Тема доклада: «Структура и дефекты тонких плёнок GaInAsBi на подложках Si и GaAs»  (в соавторстве с кандидатом физико-математических наук Олегом Девицким и доктором физико-математических наук Леонидом Луниным).
Ведущий научный сотрудник лаборатории физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН, кандидат физико-математических наук Александр Пащенко:

«Конференция является одним из ведущих мероприятий по микро- и наноэлектронике в нашей стране, на котором обсуждаются важные проблемы интеграции микроэлектроники и фотоники. Особое внимание представляют вопросы развития этих направлений в условиях санкций, наложенных на Российскую Федерацию со стороны западных стран. НИЯУ МИФИ одна из ведущих организаций, отвечающих за развитие фотоники и СВЧ-электроники в РФ. Участие в "Мокеровских чтениях" позволяет ознакомиться с последними достижениями в этих областях и тенденциями развития.
Представленный доклад посвящён исследованию структурных свойств новых полупроводниковых материалов на основе соединений III–V–Bi, которые имеют потенциал для применения в устройствах инфракрасного диапазона. В нашей лаборатории впервые синтезирован методом импульсного лазерного напыления твердый раствор GaInAsBi на самых распространённых полупроводниковых подложках (кремниевой и арсенида галлия) без использования буферных слоев и определена концентрация висмута в составе. Именно содержание висмута определяет структурные и оптические свойства выращенных пленок. Изучены структура и морфология, установлены механизмы релаксации механических напряжений в них. Следующим этапом работы станет изучение оптических и электрофизических свойств выращенных новых полупроводниковых материалов» .