Научные семинары по пятницам в ЮНЦ РАН

«Разработки ЮНЦ РАН для оптоэлектроники и фотоники» 28 апреля 2023 г. в 11.00. #ДесятилетиеНауки

27-04-2023

Научный семинар «Разработки ЮНЦ РАН для оптоэлектроники и фотоники».

28 апреля 2023 г. в 11.00 в ЮНЦ РАН

 

Приглашаем всех сотрудников ЮНЦ РАН принять участие в работе семинара и просим распространить информацию для всех заинтересованных.

 

Для сотрудников удаленных подразделений будет организована онлайн-трансляция.

 

Модератором  мероприятия выступил заместитель директора ЮНЦ РАН, д.т.н. Юрий Юрасов. С докладом «Инфракрасное излучение: генерация, детектирование и приложения» выступил заведующий лабораторией физики и технологии полупроводниковых   наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН, кандидат физико-математических наук Александр  Пащенко.
Физик Александр Пащенко:
Полупроводниковые материалы широко применяются в оптоэлектронных устройствах инфракрасного диапазона, однако существуют фундаментальные ограничения в виде Оже-рекомбинации и внутризонного поглощения, которые приводят к необходимости использовать принудительное охлаждение для их эффективной работы. Открытый в 2007 г. группой Альбери эффект антипересечения валентной зоны, заключающийся в нелинейном уменьшении ширины запрещенной зоны при добавлении металлоидов, например, висмута в матрицу III-V соединения позволяет преодолеть эти ограничения. Это расширяет возможности использования полупроводниковых материалов и в ближайшем будущем повысит термостабильность оптоэлектронных устройств среднего и дальнего ИК-диапазона.      
Сложность заключается в выращивании таких материалов из-за сильной поверхностной диффузии висмута и ограниченности его растворимости в полупроводниковых твердых растворах для достижения нужного структурного качества слоев и спектрального диапазона.
Научной группой нашей лаборатории уже синтезированы 7 твердых растворов на 4 типах подложек (Si, GaP, GaAs, GaSb) и исследуются их структурные свойства. Получен положительный результат по внедрению Bi более 10 % в твердый раствор GaInAs и сейчас готовится рукопись для публикации в научном журнале. В дальнейшем коллектив направит усилия на изучение электрических и оптических свойств выращенных новых полупроводниковых материалов».

 

 

Научные семинары по пятницам в ЮНЦ РАН