Совместные исследования учёных ЮНЦ РАН и СКФУ
были представлены на Международной конференции
Совместные исследования учёных ЮНЦ РАН и Северо-Кавказского федерального университета были представлены на Международной конференции ФизикА.СПб (PhysicA SPb/2025)
В форуме приняли участие около 400 специалистов в области физических наук, включая астрофизику, физику плазмы, физику твёрдого тела, физику полупроводников и биофизику.
В стендовом докладе сотрудников лаборатории физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН были продемонстрированы итоги экспериментов по проверке технических подходов по улучшению кристаллических свойств сложного полупроводникового соединения на основе III-V групп с висмутом и сурьмой.
Тема исследования «Выращивание твердого раствора GaInAsSbBi на разориентированной подложке GaSb (100) 6° (111)A». Авторы работы — к.ф.-м.н. Александр Пащенко, аспирант Дмитрий Никулин, к.т.н. Эдуард Блохин.
Заведующий лабораторией физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН к.ф.-м.н. Александр Пащенко:
«Полупроводниковые твёрдые растворы на основе III-V групп с висмутом и сурьмой являются потенциальными кандидатами для преодоления фундаментального ограничения инфракрасных устройств – внутризонной Оже-рекомбинации. Преодоление этого ограничения важно для создания термостабильных устройств ИК-диапазона. Однако вырастить слои высокого кристаллического качества очень трудно любыми методами по многим причинам. Мы исследовали просвечивающей микроскопией, рентгеновской дифракцией и сканирующей зондовой микроскопией кристаллические свойства и морфологию поверхности. В ходе эксперимента нам удалось вырастить плёнки с малым содержанием висмута (до 3%). В будущем мы планируем улучшить этот результат.
Наш доклад вызвал интерес среди участников конференции и дискуссию о новых экспериментах по улучшения кристаллической структуры».
На фото: к.ф.-м.н. Александр Пащенко и руководитель лаборатории фотоэлектрических преобразователей Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, к. ф.-м.н. Максим Шварц.
