Учёные ЮНЦ РАН и СКФУ представили альтернативный метод

Учёные ЮНЦ РАН и Северо-Кавказского федерального университета представили альтернативный метод получения тонких полупроводниковых плёнок разбавленного нитрида GaAsN

Авторами исследования — к.т.н. Олегом Девицким и к.ф.-м.н. Александром Пащенко предлагается объединить технологию импульсного лазерного напыления с непрерывной плазмой тлеющего разряда.

Ведущий научный сотрудник ЮНЦ РАН, доцент химического факультета СКФУ, к.т.н. Олег Девицкий:
«Соединения на основе разбавленных нитридов представляют интерес для инфракрасных детекторов, поскольку позволяют точно настраивать оптические свойства приборов. Основной сложностью при их синтезе остается высокая энергия диссоциации молекулярного азота (9,76 эВ), из-за которой внедрение этого элемента в кристаллическую решетку GaAs при использовании ВЧ-генераторов плазмы требует сложного технологического оборудования. Примененный способ активации аргоно-азотной газовой смеси постоянным током служит альтернативным подходом к преодолению этого кинетического барьера, расширяя доступный физикам инструментарий для выращивания качественных полупроводниковых тонких пленок разбавленных нитридов.
Использование постоянного тока для получения плазмы в газовой среде аргона и азота позволило активировать прочные молекулы N₂ и внедрять до 2,3% атомов азота в кристаллическую решетку GaAs при температуре подложки в 350°C. Мы экспериментально показали, что простое изменение давления фоновой газовой смеси в вакуумной камере дает возможность плавно регулировать ширину запрещенной зоны материала в диапазоне от 1,20 до 1,065 эВ.».

Статья опубликована в журнале Materials Letters (издательство Elsevier). 
Фото: Иван Касьянов.