Учёные ЮНЦ РАН впервые синтезировали твердый раствор GaInAsBi на кремниевой подложке без использования буферных слоев

Учёные ЮНЦ РАН синтезировали 7 твёрдых растворов с висмутом на 4 типах подложек (Si, GaP, GaAs, GaSb) и провели серьезную работу по исследованию их структурных свойств. Впервые синтезирован твердый раствор GaInAsBi на кремниевой подложке без использования буферных слоев и определена концентрация висмута в составе. Следующим этапом работы станет изучение оптических и электрофизических свойств выращенных новых полупроводниковых материалов, для определения их практических возможностей

Заведующий лаборатории физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН, кандидат физико-математических наук Александр Пащенко:

«Лаборатория выполняет два госзадания, которые можно объединить в одну общую цель – решение фундаментальных проблем физики и технологии полупроводниковых гетероструктур. Одной из таких фундаментальных задач в полупроводниковых гетероструктурах для инфракрасного диапазона является преодоление ограничения в виде Оже-рекомбинации и внутризонного поглощения, которые требуют использовать принудительное охлаждение оптоэлектронных устройств. Теоретические предпосылки и доказательства реализации этого были продемонстрированы в 2007 году группой Альбери, где было показано, что при добавлении металлоидов, например, висмута в матрицу III-V соединения позволяет преодолеть эти ограничения. Проблема на пути практической реализации заключается в сложности выращивания таких материалов»​.

На фото: Минобрнауки РФ объявило благодарность физику ЮНЦ РАН Александру Пащенко.