Фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур Al0.1Ga0.2In0.7Sb0.2P0.8/InP

Лунин Л.С., Лунина М.Л., Донская А.В. Фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур Al0.1Ga0.2In0.7Sb0.2P0.8/InP // Физика и техника полупроводников. — 2025. — Т. 59, № 7. — С. 402-405. м DOI 10.61011/FTP.2025.07.62004.8114. — EDN HUUXDE. ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Lunin L.S., Lunina M.L., Donskaya A.V. Photovoltaic converters based on Al0.1Ga0.2In0.7Sb0.2P0.8/InP heterostructures // Semiconductors. — 2025. — Vol. 59, Iss. 7. — P. 369-372. — DOI: 10.61011/SC.2025.07.62471.8114

Количество авторов
3

Ссылка на публикацию в сети интернет
https://journals.ioffe.ru/articles/62004 - русс https://journals.ioffe.ru/articles/62471 - перевод https://elibrary.ru/item.asp?id=87646567 https://journalrank.rcsi.science/ru/record-sources/details/29992/ - УБС 1

Год
2025