Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaAsBi на подложке Si (111)

Пащенко А.С., Девицкий О.В. Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaAsBi на подложке Si (111) // Научное приборостроение: перспективы разработки, создания, развития и использования: Материалы II Всероссийской научно-практической конференции с международным участием памяти члена-корреспондента РАН Д.Г. Матишова / г. Ростов-на-Дону, (21-23 августа 2025 г.). — Ростов-на-Дону: Южный научный центр РАН, 2025. — С. 153–155.