Карта сайта


Русскоязычная часть:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук»

Лаборатория физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники


Телефон: 8(918)515-38-09
Адрес: 344006 г. Ростов-на-Дону, пр. Чехова 41
Эл. почта: as.pashchenko@gmail.com

Пащенко Александр Сергеевич

старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией
(863)250-98-32
as.pashchenko@gmail.com


Адрес: 344006 г. Ростов-на-Дону, пр. Чехова 41.
E-mail: as.pashchenko@gmail.com
Тел.: 8(918)-5153809
Лаборатория создана 9 января 2019 г. в рамках реализации Стратегии научно-технологического развития РФ и Указа Президента РФ от 07.05.2018 г.  № 204 "О национальных целях и задачах развития Российской Федерации на период до 2024 г."

Цели, задачи, направления исследований

Общей целью является совместное решение физических и технологических проблем полупроводниковых гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов, выращенных на бинарных подложках AIIIBV для создания на их основе устройств электроники и фотоники.
Деятельность лаборатории направлена на разработку технологии получения гетероэпитаксиальных интерфейсов на основе многокомпонентных твердых растворов на бинарных подложках A3B5 методами синтеза из жидкой фазы, выращивания из молекулярных, ионных и атомарных пучков, а также разработку физических основ функционирования и конструкций эффективных устройств СВЧ-электроники и фотоники нового поколения. Направление исследований находится в полном соответствии с Программой фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013 – 2020 годы по п. 8. Актуальные проблемы физики конденсированных сред, в том числе квантовой макрофизики, мезоскопики, физики наноструктур, спинтроники, сверхпроводимости.
 

Основные выполняемые проекты (наименование тем (рук и ответ исполнители)

ПФНИ ГАН 2013-2020 гг.
1. «Разработка и создание полупроводниковых гетероинтерфейсов на основе многокомпонентных материалов для устройств СВЧ-электроники и фотоники», номер государственной регистрации темы АААА-А19-119040390081-2. Руководитель Пащенко А.С., ответственный исполнитель: Девицкий О.В.
2. «Разработка физических основ получения наноструктур с квантовыми точками в активных областях для оптоэлектронных приборов», номер государственной регистрации № 01201354240. Руководитель и ответственный исполнитель темы: д.ф.-м.н. Лунин Л.С.
 
Гранты РНФ:
1. 19-79-10024 «Cинтез многокомпонентных твердых растворов AIIIBV изопериодных бинарным подложкам для повышения структурного совершенства полупроводниковых гетероинтерфейсов» (руководитель Пащенко А.С.), 2019-2022 гг.
 
Гранты РФФИ:
16-38-60127_мол_а_дк «Управление физическими процессами роста и легирования напряженных AIIIBV гетерограниц и когерентных наноостровков» (руководитель А.С. Пащенко), 2016-2018 гг.
16-08-01052_а «Исследование процесса управления функциональными свойствами полупроводниковых фоточувствительных материалов выращенных ионно-лучевой кристаллизацией», (руководитель А.С. Пащенко), 2016-2017 гг.
16-38-00575 мол_а «Исследование физических явлений на поверхности растущего слоя при управляемом легировании наноразмерных полупроводниковых пленок методом ионно-лучевой кристаллизации» (руководитель А.С. Пащенко), 2016-2017 гг.
17-08-01206 «Исследование упругонапряженных висмутсодержащих многокомпонентных полупроводниковых наногетероструктур» (руководитель М.Л. Лунина), 2017-2019 гг.
15-08-08263_а «Упругодеформированное состояние полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками» (руководитель С.Н. Чеботарев), 2015-2017 гг.
 
Хозяйственные договоры
Договор № 0033/1 от 15 октября 2015 года на тему «Разработка программы и методик исследовательских испытаний фотоэлектрических преобразователей с квантовыми точками» (руководитель и ответственный исполнитель Л.С. Лунин).

Основные публикации, РИД

2015
1. Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Williamson A., Lunin L.S., Irkha V.A., Gamidov V.A. Ion beam crystallization of InAs/GaAs(001) nanostructures // Technical Physics Letters, 2015, Vol. 41, № 7, P. 661-664.
2. Pashchenko A.S., Chebotarev S.N., Lunin L.S. Carrier transport in multilayer InAs/GaAs quantum dot heterostructures grown by ion beam crystallization // Inorganic Materials, 2015, Vol. 51, № 3, P. 197-200.
3. Lunin L.S., Seredin B.M., Seredin L.M. Abrasive blasting of silicon surfaces during the thermal-migration process // Journal of Surface Investigation. Xray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2015, Vol.9, №6, P. 1346–1354.
 
2016
1. Chebotarev S., Pashchenko A., Lunin L., Irkha V. Mass transfer of semiconductors at low flow argon ion beam sputtering // International Journal of Applied Engineering Research. 2016. Vol. 11. Iss. 3. PP. 1622-1629.
2. Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Irkha V.A., Lunina M.L. Morphology and Optical Investigations of InAs-QD/GaAs Heterostructures Obtained by Ion-Beam Sputtering // Journal of Nanotechnology. 2016. Vol. 2016. Article number 5340218.
3. Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Arustamyan D.A. Microcrystalline and amorphous photovoltaic silicon materials Performance optimization // Solid State Phenomena. 2016. Vol. 870. PP. 74-82.
4. Abubakarov A.G., Shilkina L.A., Reznichenko L.A., Pavlenko, A.V., Verbenko I.A., Manuilov M.B., Noykin Y.M., Yurasov Y.I. Structural effects and their correlation with dielectric responsive and dissipative properties of BSN ceramics // Global Journal of Pure and Applied Mathematics. 2016. Vol. 12. Iss. 1. PP. 517-524.
5. Pashchenko A.S., Chebotarev S.N., Lunin L.S., Irkha V.A. Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon // Semiconductors. 2016. Vol. 50. № 4. PP. 545-548.
6. Lunin L.S., Lunina M.L., Kravtsov A.A., Sysoev I.A., Blinov A.V. Synthesis and study of thin TiO2 films doped with silver nanoparticles for the antireflection coatings and transparent contacts of photovoltaic converters // Semiconductors. 2016. Vol. 50. № 9. PP. 1231–1235.
7. Alfimova D.L., Lunin L.S., Lunina M.L., Pashchenko A.S., Chebotarev S.N. Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates // Physics of the Solid State. 2016. Vol. 58. № 9. PP. 1751–1757.
8. Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Lunin L.S., Irkha V.A. Regularities of ion-beam-induced crystallization and properties of InAs-QD/GaAs(001) semiconductor nanoheterostructures // Nanotechnologies in Russia. 2016. Vol. 11. №. 7-8. PP. 435–443.
9. Shilkina L.A., Grin P.G., Reznichenko L.A., Dudkina S.I., Yurasov Y.I., Razumovskaya O.N. Formation of a cluster structure in the PbZr1-xTixO3 system // Physics of the Solid State. 2016. Vol. 58. Iss. 3. PP. 551-556.
 
2017
1. Alfimova D.L., Lunin L.S., Lunina M.L., Pashchenko A.S., Chebotarev S.N. Effect of bismuth on parameters of a GaInSbAsP solid solution grown on GaSb substrates // Inorganic Materials. 2017. Vol. 53. No. 1. pp. 57–64.
2. Alfimova D.L., Lunin L.S., Lunina M.L., Pashchenko A.S., Chebotarev S.N. Thin-layer GaInSbAsPBi/GaSb heterostructures obtained from liquid phase in a temperature-gradient field // Crystallography Reports. 2017. Vol. 62. No. 1. pp. 139–143.
3. Lozovskii V.N., Lomov A.A., Lunin L.S., Seredin B.M., Chesnokov Y.M. Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration // Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 3. pp. 285–289.
4. Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Lunin L.S., Zhivotova E.N., Erimeev G.A., Lunina M.L. Obtaining and doping of InAs-QD/GaAs(001) nanostructures by ion beam sputtering // Beilstein Journal of Nanotechnology. 2017. 8. pp. 12–20.
5. Chebotarev S.N., Yatsenko A.N., Lunin L.S. Features of zone thermal recrystallization of germaniun layers grown on silicon substrates from a discrete source // Solid State Phenomena. 2017. Vol. 265. pp. 620-626.
6. Lunina M.L., Kazakova A.E., Arustamyan D.A. Study of properties of multicomponent heterostructures based on AIIIBV compounds // Solid State Phenomena. 2017. Vol. 265. pp. 728-733.
 
2018
1. A.S. Pashchenko, L. S. Lunin, S. N. Chebotarev, M. L. Lunina. Study of the Structural and Luminescence Properties of InAs/GaAs Heterostructures with Bi-Doped Potential Barriers // Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 729–733.
2. L.S. Lunin, B.M. Sinel’nikov, I.A. Sysoev. Features of Ion-Beam Treatment of Sapphire Surface // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2018, Vol. 12, No. 5, pp. 898–901.
3. D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M.L. Lunina, A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, A. E. Kazakova, D. A. Arustamyan. Investigation of Structural Perfection of Thin-Film InAlGaPAs/GaAs Heterostructures // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2018, Vol. 12, No. 3, pp. 466–472.
4. L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.A. Kravtsov, I.A. Sysoev, A.V. Blinov, A.S. Pashchenko. Effect of the Ag Nanoparticle Concentration in TiO2–Ag Functional Coatings on the Characteristics of GaInP/GaAs/Ge Photoconverters // Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 993–996.
5. D.L. Alfimova, M.L. Lunina, L.S. Lunin, A.S. Pashchenko, A.E. Kazakova. The Effect of Bismuth on the Structural Perfection and the Luminescent Properties of Thin-Film Elastically Stressed AlxInyGa1–x–yBizSb1–z/GaSb Heterostructures // Physics of the Solid State, 2018, Vol. 60, No. 7, pp. 1280–1286.
6. A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, E.M. Danilina, S.N. Chebotarev. Variation of the photoluminescence spectrum of InAs/GaAs heterostructures grown by ion-beam deposition // Beilstein J. Nanotechnol. 2018. 9. 2794–2801.
7. L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.E. Kazakova. Growing of AlInGaAsP Solid Solutions on InP Substrates for Photovoltaic Converters // Solid State Phenomena. 2018. Vol. 284, pp. 188-193.
 
2019
1. Lunin L.S., Lunina M.L., Pashchenko A.S., Alfimova D.L., Arustamyan D.A., Kazakova A.E. Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures // Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. Iss. 3. pp. 250-252.
2. Alfimova D.L., Lunin L.S., Lunina M.L., Kazakova A.E., Pashchenko A.S. Liquid-Phase Synthesis and Properties of Constant Lattice Parameter AlGaInAsP Solid Solutions on Indium Phosphide Substrates // Inorganic Materials. 2019 Vol. 55. Iss. 6. pp. 533-541.
 

Основные результаты (2015-2019 гг.) с фотографиями.

Исследованы эпитаксиальные слои многокомпонентных твердых растворов AIIIBV, выращенных в различных условиях жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента. Выявлены основные параметры процесса влияющие на качество поверхности и структурное совершенство гетерограниц. Исследованы особенности эпитаксии GaAs из висмутсодержащих жидких зон в поле температурного градиента. Проанализированы возможные механизмы снижения плотности дислокаций.
Для пятерных систем предложен вывод уравнений фазового равновесия «жидкость-твердое» из AIIIBV в приближении регулярных растворов. Расчеты показали, что в область несмешиваемости при температурах эпитаксии попадает широкий диапазон составов твердых растворов, изопериодных подложкам бинарных соединений.
Проведен комплексный анализ гетерофазных равновесий в системе Ga-In-Sb-As-P-Bi. Выявлены пределы составов области существования гетероструктур без спинодального распада. Экспериментальные исследования структурного совершенства гетероструктур GaInSbAsPBi/GaSb выявили оптимальные параметры процесса ЗПГТ, при которых эпитаксиальные слои имели зеркальную поверхность и высокое кристаллическое совершенство.
  

 Разработаны физические основы получения наногетероструктур с квантовыми точками в активных областях методом физического распыления материалов ионным пучком. Формирование гетероструктур с квантовыми точками проводилось на экспериментальной установке ионно-лучевого осаждения. Эксперименты по осаждению выполнялись на полуизолирующие подложки арсенида галлия (GaAs) с кристаллографической ориентацией (100). Рост слоев квантовых точек InAs проводился при ускоряющем напряжении ионов 250 В и плотности ионного тока 4.5·10-6 A/см2, при температуре 808 K. Покрытие квантовых точек барьерным слоем i-GaAs сопровождалось повышением температуры до 823 К. Показано, что вертикальная стыковка трех слоев квантовых точек InAs, приводит к уменьшению полуширины спектра фотолюминесценции. Вероятной причиной является релаксация механических напряжений. Предложенный вариант осаждения полупроводников имеет существенные преимущества перед многими методами роста из газовой фазы, так как позволяет управлять энергией распыляемых атомарных потоков и их взаимодействием с поверхностью роста.
Исследованы физические процессы на поверхности роста и установлено влияние энергии, плотности тока пучка и температуры подложки на структуру и морфологию интерфейса. Показано, что увеличение толщины верхнего разделяющего слоя i-GaAs с 5 до 20 нм сопровождается смещением спектров фотолюминесценции образцов в синюю область спектра на 62 мэВ, что указывает на действие со стороны разделяющего барьерного слоя i-GaAs на квантовые точки механических деформаций сжатия. Выявлено, что вертикальная стыковка слоев квантовых точек InAs через тонкий барьерный слой GaAs способствует релаксации механических напряжений в гетероструктурах InAs/GaAs.
Изучено влияние механических напряжений на плотность и размер самоорганизованных когерентных наноостровков InAs. Показано, что в случае трех слоев квантовых точек InAs, разделенных 15 нм барьерами i-GaAs, плотность массива уменьшилась с 1,42×1010 до 1,33×1010 см-2. В тоже время средний боковой размер квантовых точек увеличился на 2 нм. Для 30 нм слоев i-GaAs средний боковой размер квантовых точек увеличивается на 2,6 нм, тогда как плотность верхнего массива квантовые точек уменьшилась до 1,27×1010 см−2. Методом рентгеновской дифракции и рамановской спектроскопии исследовано влияние изовалентного легирования Bi барьерных слоев GaAs на релаксацию механических напряжений и структурные свойства гетероструктур InAs/GaAs. Анализ рамановских спектров показал, что кроме разрешенных мод наблюдаются и запрещенные поперечные моды (TO) для объемных GaAs (268 cm-1) и GaBi (182 cm-1) оптических фононов. Это указывает на изменение правила отбора при рамановском рассеянии в системе InAs/GaAs, вызванного деформациями кристаллической решетки при внедрении Bi в матрицу GaAs. Рамановское смещение пиков на спектрах гетероструктур InAs/GaAs1-xBix относительно спектра гетероструктуры InAs/GaAs обусловлено большей степенью релаксации гетероинтерфейса InAs/GaAs1-xBix по сравнению с InAs/GaAs, за счет уменьшения величины рассогласования параметров кристаллической решетки. Полученные результаты могут быть использованы в разработке многоцветных фотодетекторов ИК излучения. 
 

Люминесцентные свойства гетероинтерфейсов InAs/GaAs и InAs/GaAsBi, а также морфология гетероинтерфейсов InAs/GaAsBi (b) и InAs/GaAs (c).


 Участие в конференциях

2015
1. Чеботарев С.Н. Особенности ионно-лучевой кристаллизации полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур // докл. 6-я международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", 20-21 мая 2015 г., г. Москва. - Москва: изд-во МИФИ. 2015. С. 60-62.
2. Чеботарев С.Н., Williamson A. Ионно-лучевое формирование нанокластеров InAs/GaAs(001): докл. IV межд. молод. симп. «Физика бессвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (анализ современного состояния и перспективы развития)», 2-6 сентября 2015 г., г. Ростов-на-Дону, г. Туапсе, Россия. - Ростов-на-Дону: Изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ АПСН, 2015. Вып. 4. Т.2 С.248-254.
3. Чеботарев С.Н., Лунина М.Л. Анализ упругих напряжений в наногетероструктурах InAs-QD/GaAs методом комбинационного рассеяния // докл. межд. конф. «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», 13-19 сент. 2015 г., г. Краснодар. - Краснодар: изд-во КубГУ, 2015. С. 3-7.
4. Пащенко А.С., Лунин Л.С. Латеральный перенос носителей заряда в гетероструктурах InAs/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Всероссийской научной конференции (13-19 сентября 2015 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар, 2015. С. 7-11.
5. Пащенко А.С., Гамидов В.А. Фотолюминесценция гетероструктур i-GaxIn1-xAs/n-GaAs с квантовыми точками InAs // Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития) (LFPM-2015). Труды Четвертого Международного междисциплинарного молодежного симпозиума.  - г. Ростов-на-Дону - г. Туапсе, 2-6 сентября 2015 год. Вып. 4. Том 2. С. 131-135. Издательство Южного Федерального университета, 2015.
6. Пащенко А.С. Моделирование функциональных характеристик гетероструктур AlGaAs/GaAs и GaAs/GaSb // Мокеровские чтения. 6-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 20−21 мая 2015 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2015. С. 115-116.
7. Лунина М.Л. Гетерофазные равновесия в системе GaInPAsBi // Мокеровские чтения. 6-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 20−21 мая 2015 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2015. С. 87- 88.
8. Лунина М.Л. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов GaInSbAsPBi/GaSb // Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития) (LFPM-2015). Труды Четвертого Международного междисциплинарного молодежного симпозиума.  - г. Ростов-на-Дону - г. Туапсе, 2-6 сентября 2015 год. Вып. 4. Том 2. С. 40-42. Издательство Южного Федерального университета, 2015
 
2016
1. Пащенко А.С. Управляемое легирование наноразмерных полупроводниковых пленок в процессе ионно-лучевой кристаллизации // Мокеровские чтения. 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 25 мая 2016 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ. 2016. − С. 95.
2. Лунина М.Л. Изопериодные гетероструктуры GaInPSbAs/InAs // Мокеровские чтения. 7-я Международная научно-практическая конфереция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 25 мая 2016 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ. 2016. − С. 69.
3. Чеботарев С.Н., Ирха В.А., Еримеев Г.А., Яценко А.Н. Ионно-лучевая кристаллизация упругонапряженных наногетероструктур InAs-QD/GaAs // Мокеровские чтения. 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 25 мая 2016 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ. 2016. − С. 79.
4. Лунин Л.С., Алфимова Д.Л., Арустамян Д.А. «Оптоэлектроника на многокомпонентных наногетероструктурах» // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 3-7.
5. Пащенко А.С., Блохин Э.Е. Гетероструктуры InAs/GaAs для ИК диапазона // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 8-12.
6. Чеботарев С.Н., Еримеев Г.А., Гончарова Л.М. Ионно-лучевая кристаллизация упругонапряженных наноструктур InAs-QD/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 13-18.
7. Лунина М.Л., Казакова А.Е. Закономерности кристаллизации из жидкой фазы исвойства гетероструктур GaInSbAsPBi/GaSb // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 19-23.
 
2017
1. Пащенко А.С. Влияние Bi на структурные и оптические свойства гетероструктур InAs/GaAs // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. − с. 114.
2. Лунина М.Л., Алфимова Д.Л., Казакова А.Е. Исследования совершенства и свойств изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конфереция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. − с. 112.
3. Лунин Л.С., Арустамян Д.А., Мунтяну Е.Г. Многокомпонентные гетероструктуры A3B5 на Si-подложках для фотопреобразователей // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. − с. 64.
4. Пащенко А.С., Данилина Э.М. Потенциальные барьеры GaAsBi для гетероструктур InAs/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXIII международной научной конференции – Краснодар: Кубанский государственный университет, 17-22 сентября 2017. – с. 271.
5. Арустамян Д.А., Лунин Л.С. Исследование свойств гетероструктур
GaxIn1-xP1-yAsy/GaAs(InP) и характеристик фотоэлектрических преобразователей на их основе // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXIII международной научной конференции – Краснодар: Кубанский государственный университет, 17-22 сентября 2017. – с. 115.
6. Казакова А.Е., Лунина М.Л. Выращивание и исследование гетероструктур InAsGaPAs/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXIII международной научной конференции – Краснодар: Кубанский государственный университет, 17-22 сентября 2017. – с. 180.
7. Пащенко А.С., Блохин Э. Е., Пономаренко Е. М., Данилина Э.М. Гетероструктуры InAs/GaAs с потенциальными барьерами GaAsBi // Тезисы конференции ФизикА.СПб/2017. ФТИ им. Иоффе РАН, 24-26 октября, 2017 г.  С. 304.
8. Lunin L.S., Alfimova D.L., Lunina M.L. Growth and investigation of thin-layer GaInSbAsPBi/GaSb heterostructures // The 9th International conference on advanced materials, ROCAM 2017 & The 2nd international symposium on dielectric materials and applications, ISyDMA, Romania, Bucharest, 11-14 July 2017.
9. Л.С. Лунин, А.С. Пащенко. Фотопреобразователи на основе многокомпонентных гетероструктур. Школа молодых ученых «Высокоэффективные солнечные фотоэнергосистемы». 9 ноября 2017 г. Санкт-Петербург.
 
2018
1. A.S. Pashchenko, E.M. Danilina, N.M. Bogatov. Research of influence Al on luminescence and dark current-voltage characteristics of InAs/GaAs heterostructures // 5th International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2018” on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures carries on the tradition of annual conferences and schools organized at St Petersburg Academic University for students, PhD students and young scientists, 2-5 april 2018. St. Petersburg Academic University, St Petersburg, Russia, 2018, pp. 36-37.
2. А.С. Пащенко, Л.С. Лунин. Свойства висмутсодержащих многокомпонентных тонких пленок, выращенных на подложках (III)Sb // Материалы XXIV Международной научной конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (под науч. ред. В.А. Исаева, А.В. Лебедева), 16 - 22 сентября 2018 г. − Краснодар: Кубанский гос. ун-т, 2018. − 372 с.
3. Казакова А.Е., Лунин Л.C., Лунина М.Л., Арустамян Д.А. Исследование люминесцентных свойств гетероструктур AlGaInAsP/InP // Мокеровские чтения. 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 23 мая 2018 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2018. − с. 76.
4. А.С. Пащенко, Л.С. Лунин. Многокомпонентные твердые растворы для фотовольтаики. Школа молодых ученых «Высокоэффективные солнечные фотоэнергосистемы». 7 ноября 2018 г. Санкт-Петербург.
 
2019
1. Пащенко А.С., Лунин Л.С., Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Данилина Э.М., Пащенко О.С. Висмутсодержащие тонкие пленки изопериодные бинарным подложкам AIIIBV // Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная
научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 15-16 мая 2019 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2019. − 204 с. 


Научное оборудование.

Научная группа технологии наногетероструктур (г. Ставрополь) 

  • Установка молекулярно-лучевой эпитаксии
  • Экспериментальная установка ионно-лучевого осаждения
  • Экспериментальная установка импульсного лазерного напыления
  • Рентгеновский измерительный комплекс РИКОР

 
Научная группа физики полупроводниковых гетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники (г. Новочеркасск) 

  • Установка на базе ртутного зонда для измерения вольтфарадных характеристик и профилей концентрации носителей заряда в полупроводниковых структурах.
  • Сканирующий электронный микроскоп ZEISS EVO 50 XVP с приставкой энергодисперсионного микроанализатора EDAX.
  • Лазерный 3D-микроскоп KeyenceVK-9700.
  • Импульсный имитатор солнечного излучения для измерения нагрузочных вольтамперных характеристик фоточувствительных наногетероструктур.
  • Установка для измерения спектральных зависимостей внешнего квантового выхода полупроводниковых микро- и наноструктур.
  • Установка для измерения спектров фотолюминесценции полупроводниковых микро- и наноструктур в диапазоне от 320 - 6000 нм.

 
10. Любая дополнительная информация (фото)
 

Руководитель лаборатории, в.н.с. Пащенко А.С.

г.н.с., д.ф.-м.н., профессор Лунин Леонид Сергеевич
 



 
Рабочие моменты
 

Профессор Лунин Л.С. с аспирантами
 

 

Алфимова Д.Л. во время работы за оптическим микроскопом
 

Лунина М.Л. работает за газофазным реактором
 

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии

 

Лапин В.А. и Касьянов И.В. во время работы за установкой молекулярно-лучевой эпитаксии

 
 

Корчагин В.И. работает с установкой импульсного лазерного напыления

Девицкий Олег за установкой ионно-лучевого осаждения

 

Обсуждение результатов термодинамического анализа многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов
 

Установка измерения спектров фотолюминесценции полупроводниковых структур

Измерительный рентгеновский комплекс «Рикор»
 Фотография и конструкция экспериментальных образцов солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge с покрытием TiO2-Ag


Публикации сотрудников в журналах
 

 


 
Опубликованные монографии