Лунина Марина Леонидовна

ведущий научный сотрудник, кандидат физико-математических наук

Научная степень

Тип подразделения

Телефон
(863)250-98-10(8652) 94-41-32 (Ставрополь)

О персональных данных
Персональные данные размещены на основании письменного Согласия сотрудника на обработку персональных данных, оформленного в соответствии с статьей 9 Федерального закона от 27 июля 2006г. №152-ФЗ "О персональных данных"

Счётчик публикаций из личного профиля РИНЦ

Образование
2003 г. - «Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)». Физика. 2008 г. - «Северо-Кавказский государственный технический университет». Кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния.

Тема диссертационной работы
«Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов А3B5, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры», кандидатская.

Биография
Родилась в 1980 г. По окончании школы №14 г. Новочеркасска поступила в 1998 г. в Новочеркасский государственный технический университет на физико-математический факультет, кафедра «Физика». В 2003 г. успешно окончила специальность "Физика". С 2003 г. по 2008 г. обучалась в очной аспирантуре Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института). В 2008 г. защитила кандидатскую диссертацию на тему «Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов А3B5, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры» по научной специальности 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" с присвоением ученой степени кандидата физико-математических наук. С 2003 по 2011 гг. работала доцентом на кафедре «Физика» Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института). В 2009 г. присвоено ученое звание доцента по кафедре физики. В 2011 г. принята на работу в Южный научный центр РАН на должность старшего научного сотрудника лаборатории "Солнечная энергетика".
Стаж научной и педагогической работы составляет 18 лет. Читает лекционные курсы и ведет практические и лабораторные занятия по дисциплинам: «Фундаментальные основы наноэлектроники», «Многокомпонентные полупроводниковые гетероструктуры в оптоэлектронике». Руководит научно-исследовательской работой студентов, результаты которой отражаются в докладах на международных и всероссийских конференциях, публикациях.
В качестве исполнителя проводит научные исследования по базовой теме «Разработка физических основ получения наноструктур с квантовыми точками в активных областях для оптоэлектронных приборов». С 2011 по 2017 г. принимала участие в выполнении грантов Российского фонда фундаментальных исследований и х/д тематик выполняемых ЮНЦ РАН. В настоящее время является руководителем гранта РФФИ.

Сфера научных интересов
фундаментальные проблемы физики и технологии приборно-
ориентированных полупроводниковых наногетероструктур

Научная деятельность и достижения
Выращены изопериодные твердые растворы GaInPSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga−In−P−Sb−As. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства изопериодных гетероструктур GazIn1−zPxSbyAs1−x−y/InAs. Получены тонкие эпитаксиальные слои GaInSbAsPBi на подложке GaSb из жидкой висмутсодержащей зоны в поле температурного градиента. Исследованы состав, свойства гетероструктур GaInSbAsPBi/GaSb. Показано, что гетероструктуры GaInSbAsPBi/GaSb, контролируемые по толщине, составу и структурному совершенству, могут быть выращены в поле температурного градиента из висмутсодержащих растворов-расплавов. Экспериментальные исследования структурного совершенства гетероструктур GaInSbAsPBi/GaSb выявили оптимальные параметры процесса ЗПГТ, при которых эпитаксиальные слои имеют минимальную шероховатость и высокое кристаллическое совершенство. В рамках модели простых растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga–In–Sb–As–P–Bi. Для диапазона температур ~773–873 K рассчитаны границы существования твердого раствора GaInAsSbPBi и определены термодинамические ограничения, характеризующие его выращивание. На основе проведенного анализа методом зонной перекристаллизации градиентом температуры выращен твердый раствор GaInAsSbPBi на подложке GaSb. Показано, что введение висмута в твердый раствор GaInAsSbP расширяет область его существования, уменьшает ширину запрещенной зоны, увеличивает относительное рассогласование слоя и подложки при концентрации Bi > 0.3 ат. %, но уменьшает пределы составов изопериодных гетероструктур GaInAsSbPBi/GaSb.

Выигранные Гранты в качестве руководителя
2017 - РФФИ № 17-08-01206 А «Исследование упругонапряженных висмутсодержащих многокомпонентных полупроводниковых наногетероструктур».

Педагогическая деятельность, преподаваемые дисциплины
Доцент кафедры «Физика и электроника» ЮРГПУ(НПИ) им. М.И. Платова. Читаемые дисциплины: «Фундаментальные основы наноэлектроники», «Многокомпонентные полупроводниковые гетероструктуры в оптоэлектронике».

Знание иностранных языков, увлечения
Английский, Немецкий

Общее количество работ, их основная направленность

Работа Луниной М.Л. направлена на моделирование и расчет фазовых диаграмм многокомпонентных наноматериалов AIIIBV, в том числе висмутсодержащих; разработку физических основ выращивания наноструктур с квантовыми точками в активных областях.

По результатам научной деятельности опубликованы 55 печатных работ

  • патенты на изобретение – 0,
  • свидетельства о государственной регистрации программ ЭВМ – 1.

Основные статьи, монографии, учебники

Список опубликованных статей за последние 5 лет:

1) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, E.N. Zhivotova, G.A. Erimeev, M.L. Lunina. Obtaining and doping of InAs-QD/GaAs(001) nanostructures by ion beam sputtering // (2017) Beilstein J.Nanotechnol. 8, 12–20. doi:10.3762/bjnano.8.2, Impact Factor 3.01

(http://www.beilsteinjournals.org/bjnano/single/articleFullText.htm?publicId=2190-4286-8-2).

2) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Thin-layer GaInSbAsPBi/GaSb heterostructures obtained from liquid phase in a temperature-gradient field // (2017) Crystallography Reports. Vol. 62, No. 1, PP. 139–143. doi: 10.1134/S1063774517010047, Impact Factor 0.529 (https://link.springer.com/article/10.1134/S1063774517010047).

3) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Effect of bismuth on

parameters of a GaInSbAsP solid solution grown on GaSb substrates // (2017) Inorganic Materials. Vol.

53, No. 1, PP. 57–64. Impact Factor 0.521 (https://link.springer.com/article/10.1134/S0020168517010010)

4) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates // (2016) Physics of the Solid State. Vol. 58. Iss. 9. PP. 1751–1757. doi: 10.1134/S1063783416090055, Impact Factor 0.731

(http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783416090055).

5) L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.A. Kravtsov, I.A. Sysoev, A.V. Blinov. Synthesis and study of thin TiO2 films doped with silver nanoparticles for the antireflection coatings and transparent contacts of photovoltaic converters // (2016) Semiconductors. Vol. 50. Iss. 9. PP. 1231-1235, doi: 10.1134/S1063782616090141, Impact Factor 0.783 (http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782616090141).

6) D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina. Influence of growth conditions on the surface quality and structural perfection of multicomponent heterostructures based on group A3B5 compounds //(2014)

Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, Volume 8, Issue 3, pp 612-621, doi: 10.1134/S1027451014030021, Impact Factor 0.371,

(http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451014030021).

7) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Growth and properties of GayIn1−yPzAs1−x−z Bix solid solutions on GaP substrates// (2014) Inorganic Materials 50(2), pp. 113-119, doi:10.1134/S0020168514020010, Impact factor 0.521, (http://link.springer.com/article/10.1134/S0020168514020010).

Список опубликованных монографии и учебных пособий за последние 5 лет:

1) Чеботарев С.Н., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л. Наноструктуры AIVBIV и AIIIBV для устройств оптоэлектроники / С.Н. Чеботарев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова. – Ростов н/Д.: Изд-во ЮНЦ РАН, 2014. – 275 с. – ISBN 978-5-4358-0086-9;




Публикации после 2020 года

2022





2021






2020