Научная степень
Кандидат наук
Тип подразделения
Научные подразделения
О персональных данных
Персональные данные размещены на основании письменного Согласия сотрудника на обработку персональных данных, оформленного в соответствии с статьей 9 Федерального закона от 27 июля 2006г. №152-ФЗ "О персональных данных"
Счётчик публикаций из личного профиля РИНЦ
Образование
2007 г. - «Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)». Микроэлектроника и твердотельная электроника. 2012. - «Северо-Кавказский государственный технический университет». Кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.07- Физика конденсированного состояния.
Тема диссертационной работы
«Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения», кандидатская.
Биография
Родился в 1985 г. Пащенко Александр Сергеевич 1985 года рождения. В 2007 году окончил Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)».
С октября 2010 года работает в Южном научном центре РАН. 11 мая 2012 года защитил кандидатскую диссертацию на тему: «Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения». 1 апреля 2013 года присуждена ученая степень кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.07 – «Физика конденсированного состояния».
Стаж научной и педагогической работы составляет 8 лет, в том числе стаж педагогической работы в образовательной организации высшего образования – 8 лет, из них 6 лет по научной специальности 01.04.07 – «Физика конденсированного состояния». Читает лекционные курсы и
ведет практические и лабораторные занятия по дисциплинам: «Фотопреобразователи солнечной энергии на основе наногетеропереходов», «Технология материалов и элементов электронной техники» и «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники». Руководит научно-исследовательской работой студентов, результаты которой отражаются в докладах на международных и всероссийских конференциях, публикациях.
В качестве исполнителя проводит научные исследования по отдельным разделам базовой темы «Разработка физических основ получения наноструктур с квантовыми точками в активных областях для оптоэлектронных приборов». Являлся исполнителем х/д тематик выполняемых ЮНЦ РАН с 2010 по 2016 гг. В настоящее время является руководителем трех грантов РФФИ.
Сфера научных интересов
: фундаментальные проблемы физики и технологии приборно-ориентированных полупроводниковых наногетероструктур.
Личные заслуги и награды
дипломом победителя конкурса работ молодых ученых на Международном форуме "Возобновляемая энергетика: пути повышения энергетической и экономической эффективности REENFOR - 2013"
Научная деятельность и достижения
Изучены физические закономерности латерального транспорта носителей заряда в многослойных полупроводниковых гетероструктурах InAs/GaAs. Разработан способ управляемого легирования в процессе ионно-лучевой кристаллизации полупроводниковых наноструктур.
Выигранные Гранты в качестве руководителя
2008-2009 – лауреат конкурса «У.М.Н.И.К.»
2016 – РФФИ №16-38-60127 «Управление физическими процессами роста и легирования напряженных AIIIBV гетерограниц и когерентных наноостровков».
2016 – РФФИ №16-08-01052 «Исследование процесса управления функциональными свойствами полупроводниковых фоточувствительных материалов выращенных ионно-лучевой кристаллизацией».
2016 – РФФИ №16-38-00575 «Исследование физических явлений на поверхности растущего слоя при управляемом легировании наноразмерных полупроводниковых пленок методом ионно-лучевой кристаллизации»
Педагогическая деятельность, преподаваемые дисциплины
Доцент кафедры «Физика и электроника» ЮРГПУ(НПИ) им. М.И. Платова. Читаемые дисциплины: «Фотопреобразователи солнечной энергии на основе наногетеропереходов», «Технология материалов и элементов электронной техники», «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники»
Знание иностранных языков, увлечения
Английский со словарем
Общее количество работ, их основная направленность
Работа Пащенко А.С. направлена на изучение физических закономерностей латерального транспорта носителей заряда в системах пониженной размерности, оптических и фотоэлек-трических явлений в многослойных полупроводниковых гетероструктурах и разработке способов управляемого легирования в процессе ионно-лучевой кристаллизации полупроводниковых наноструктур.
По результатам научной деятельности опубликованы 60 печатных работ
- патенты на изобретение – 1,
- свидетельства о государственной регистрации программ ЭВМ – 7.
Основные статьи, монографии, учебники
Список опубликованных статей за последние 5 лет:
1) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, E.N. Zhivotova, G.A. Erimeev, M.L. Lunina. Obtaining and doping of InAs-QD/GaAs(001) nanostructures by ion beam sputtering // (2017) Beilstein J.Nanotechnol. 8, 12–20. doi:10.3762/bjnano.8.2, Impact Factor 3.01
(http://www.beilsteinjournals.org/bjnano/single/articleFullText.htm?publicId=2190-4286-8-2).
2) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Thin-layer GaInSbAsPBi/GaSb heterostructures obtained from liquid phase in a temperature-gradient field // (2017) Crystallography Reports. Vol. 62, No. 1, PP. 139–143. doi: 10.1134/S1063774517010047, Impact Factor 0.529 (https://link.springer.com/article/10.1134/S1063774517010047).
3) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Effect of bismuth on
parameters of a GaInSbAsP solid solution grown on GaSb substrates // (2017) Inorganic Materials. Vol.
53, No. 1, PP. 57–64. Impact Factor 0.521 (https://link.springer.com/article/10.1134/S0020168517010010)
4) A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin, V.A. Irkha. Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon // (2016) Semiconductors. Vol. 50. Iss. 4. PP. 545-548. doi:10.1134/S1063782616040199, Impact Factor 0.783 (http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782616040199).
5) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates // (2016) Physics of the Solid State. Vol. 58. Iss. 9. PP. 1751–1757. doi: 10.1134/S1063783416090055, Impact Factor 0.731
(http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783416090055).
6) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, V.A. Irkha. Regularities of ion-beam-induced
crystallization and properties of InAs-QD/GaAs(001) semiconductor nanoheterostructures // (2016)
Nanotechnologies in Russia. Vol. 11. Iss. 7-8. PP. 435–443. doi: 10.1134/S1995078016040030, Impact
Factor 0.569 (http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1995078016040030).
7) S. Chebotarev, A. Pashchenko, L. Lunin, V. Irkha. Mass transfer of semiconductors at low flow argon ion beam sputtering // (2016) International Journal of Applied Engineering Research. Vol. 11. Iss. 3. PP. 1622-1629. Impact Factor 0.105 (https://www.ripublication.com/ijaer.htm).
8) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, V.A. Irkha, M.L. Lunina. Morphology and Optical Investigations of InAs-QD/GaAs Heterostructures Obtained by Ion-Beam Sputtering // (2016) Journal of Nanotechnology. Vol. 2016. Article number 5340218. doi: 10.1155/2016/5340218, Impact Factor 0.933 (https://www.hindawi.com/journals/jnt/2016/5340218/).
9) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, D.A. Arustamyan. Microcrystalline and amorphous photovoltaic silicon materials Performance optimization // (2016) Solid State Phenomena. Vol. 870. PP. 74-82. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.870.74, Impact Factor 0.314 (http://www.scientific.net/MSF.870.74).
10) A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin. Carrier transport in multilayer InAs/GaAs quantum dot heterostructures grown by ion beam crystallization// (2015), Inorganic Materials 51(3), pp. 197-200, doi: 10.1134/S0020168515020144, Impact Factor 0.376, (http://link.springer.com/article/10.1134/S0020168515020144).
11) Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Williamson A., Irkha V.A., Gamidov V.A. Ion beam crystallization of InAs/GaAs(001) nanostructures // (2015), Technical Physics Letters 41 (7), pp. 661-664, doi: 10.1134%2FS1063785015070056, Impact Factor 0.562,
(http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063785015070056).
12) Chebotarev S.N., Paschenko A.S., Lunin L.S., Irkha V.A. Features in the formation of Ge/Si
multilayer nanostructures under ion-beam-assisted crystallization //(2013) Technical Physics Letters
39(8) PP. 726 - 729, doi: 10.1134/S1063785013080178, Impact Factor 0.562
(http://link.springer.com/article/10.1134/S1063785013080178).
13) Lunin L.S., Chebotarev S.N., Pashchenko A.S. Structure of Ge nanoclusters grown on Si(001) by ion beam crystallization // (2013) Inorganic Materials 49 (5) PP. 435 - 438, doi: 10.1134/S0020168513050075, Impact Factor 0.376 (http://link.springer.com/article/10.1134/S0020168513050075).
14) Lunin L.S., Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Dudnikov S.A. Correlation between the size and
photoluminescence spectrum of quantum dots in InAs-QD/GaAs // (2013) Journal of Surface Investigation 7 (1) PP. 36 - 40, doi: 10.1134/S1027451013010138, Impact Factor 0.359 (http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451013010138) .
15) Lunin L.S., Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Bolobanova L.N. Ion beam deposition of photoactive nanolayers for silicon solar cells // (2012) Inorganic Materials, Volume 48, Issue 5, pp. 439-444, doi: 10.1134%2FS0020168512050111, Impact Factor 0.376,
(http://link.springer.com/article/10.1134%2FS0020168512050111).
Список опубликованных монографии и учебных пособий за последние 5 лет:
1) Пащенко А.С., Пляка П.С., Пономаренко В.О. Ионно-плазменные технологии в микро- и наноэлектронике / А.С. Пащенко, П.С. Пляка, В.О. Пономаренко. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2013. – 176 с. ISBN 978-5-4358-0057-9;
2) Пащенко А.С. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. – Новочеркасск: ЮРГПУ(НПИ), 2016. – 64 с.;
3) Пащенко А.С. Фотоэлектрические преобразователи: лабораторный практикум. – Новочеркасск: ЮРГПУ (НПИ), 2016. – 41 с..
Публикации
2023
Пащенко А.С., Девицкий О.В., Лунина М.Л. Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001) // Физика и техника полупроводников. – 2023. – Т. 57, – №8. – С. 652-657. [ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunina M.L. Defects in GaInAsBi epitaxial films on Si(001) substrates // Semiconductors. – 2023. – V.57, № 8. – P. 632–637]. —DOI: 10.21883/0000000000
Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Lunina M.L., Pashchenko O.S., Danilina E.M. Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition // NANOSYSTEMS-PHYSICS CHEMISTRY MATHEMATICS. — 2023.— Vol. 14.0, No 5.— P. 601—605. — DOI: 10.17586/2220-8054-2023-14-5-601-605.
Lunin L.S., Lunina M.L., Alfimova D.L., Pashchenko A.S., Pashchenko O.S., Donskaya A.V. Thin-Layer InAlPSbAs/InAs Heterostructures: Growth Kinetics, Morphology, and Structure // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. — 2023.— Vol. 17, No. 2.— P. 419—425. — DOI: 10.1134/S1027451023020301. Q
Юрасов Ю., Клещенков А., Савицкий Р., Анцифирова М., Данилина Э., Пащенко А., Пляка П., Юдин А., Назаренко А., Ермолаев А., Юдина Н., Толстунов М. Выбор методик отбора и определения количественного и качественного содержания микропластика в природной поверхностной и сточных водах // Микропластик в науке о полимерах. Сборник тезисов / г. Великий Новгород, (19-21 октября 2023 г.). — Великий Новгород: Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 2023. — С. 81-82. — EDN: EZLVZH.
Лунина М.Л., Лунин Л.С., Пащенко А.С., Донская А.В., Столяров М.С. Гетероструктуры GazIn1-zPxAsySb1-x-y/InSb для термофотоэлектрических преобразователей // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. — 2023. — Т. 20, № 2. — С. 63-69. — DOI: 10.31429/vestnik-20-2-63-69. — EDN: VXOKZU.
Юдин А., Пащенко А., Данилина Э., Юрасов Ю. Применение рамановской спектроскопии для исследования структуры и химического состава микропластика в пробах поверхностных и сточных вод // Экология 2023 - море и человек. Сборник трудов XII Всероссийской научной конференции и молодёжной школы-семинара / г. Таганрог, (21–23 сентября 2023 г.). — Ростов-на-Дону ; Таганрог: Южный федеральный университет, 2023. — С. 230-233. — EDN: WOWAVW.
Юрасов Ю.И., Пляка П.С., Пащенко А.С., Данилина Э.М., Толстунов М.И., Назаренко А.В., Юдин А.В., Ермолаев А.И. Современные физико-химические методы анализа микропластика в природных и с точных водах // Экология. Экономика. Информатика. Серия: Системный анализ и моделирование экономических и экологических систем. — 2023. — Т. 1, № 8. — С. 116–120. — DOI 10.23885/2500-395X-2023-1-8-116-120. — EDN XGGCLC.
Лунин Л.С., Лунина М.Л., Пащенко А.С., Донская А.В. Фотоэлектрический преобразователь солнечного излучения на основе многослойных гетероструктур AlInP/GaP/AlGaInPAs/GaAs/Ge/SiGe/Si // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. — 2023. — Т. 20, № 4. — С. 63-70. — DOI: 10.31429/vestnik-20-4-63-70. — EDN: RVUKUO.
2022
Lunin L.S., Lunina M.L., Alfimova D.L., Pashchenko A.S., Yakovenko N.A., Pashchenko O.S. AlxInyGa1–x–yPzAs1–z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters // Technical Physics Letters. – 2022. – Vol. 48. – P. 82–85.
Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Lunina M. L., Pashchenko O.S. Structural properties of GaInAsSbBi solid solutions grown on GaSb substrates // Technical Physics Letters. – 2022. – Iss. 5. – P. 52-55.
Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Kasyanov I.V., Pashchenko O.S., Nikulin D.A. Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. 2022. Vol. 743. P. 139064.
Девицкий О. В., Захаров А. A., Лунин Л. С., Сысоев И. А., Пащенко А. С., Вакалов Д. С., Чапура О.М. Влияние условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs на подложке GaAs (100) // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2022. — № 24(3). — С. 300–305. ПЕРЕВОД: Devitsky O.V., Zakharov A.A., Lunin L.S., Sysoev I. A., Pashchenko A.S., Vakalov D. S., Chapura O. M. Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate // Kondensirovannye Sredy Mezhfaznye Granitsy. — 2022. — Vol. 24, №. 3. — P. 300–305. DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/9851.
Danilina E.M., Paschenko A.S. The effects of epitaxial strain on the thermodynamic parameters of III-V bismuth-containing alloys // 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures: book of abstracts / Saint-Petersburg, (May, 24–27, 2022). — Saint-Petersburg: HSE University, 2022. — Art. No. 6–16.
Пащенко А.С., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Данилина Э.М., Пащенко О.С., Касьянов И.В. Влияние металлоидов на структурные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов AIIIBV // Труды Южного научного центра Российской академии наук. – 2022. – Т. 10. – С. 216-232. – DOI 10.23885/1993-6621-2022-10-216-232
Девицкий О.В., Пащенко А.С., Лунин Л.С. Структурные свойства твердых растворов GaInAsBi, выращенных на подложках GaAs // Мокеровские чтения: 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 25–26 мая 2022 года. – МОСКВА: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 2022. – С. 70-71.
2021
Estimation of thermodynamic stability of isoperiodic epitaxial structures whith GaInSbAs and GaInAsP solid solutions // Journal of Physics: Conference Series. 2021. DOI: 10.1088/1742-6596/2086/1/012004. Q
Influence of three-component barrier layers on optical properties of photodetectors with quantum dots // Solid State Phenomena. 2021. DOI: 2-s2.0-85106170093. S
Morphology and Structural Properties of AlGaInSbAs Epitaxial Films Grown on InAs Substrates // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. 2021. DOI: 10.1134/S1027451021030137. Q4
The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. 2021. DOI: 10.1134/S1027451021060276. Q4
Варизонные гетероструктуры Alx InyGa1−x−yPzAs1−z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей //
ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2021. DOI: 10.21883/PJTF.2021.20.51610.18907. R
Девицкий О.В., Пащенко А.С., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление InGaAsP на GaAs и Si // Мокеровские чтения. 12-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 19–20 мая 2021 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 29-30.
Девицкий О.В., Пащенко C.А., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок GaAs1-yBiy // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXVII Междунар. науч. конф. (под науч. ред. В.А. Исаева, С.А. Аванесова, А.В Лебедева) Краснодар: Кубанский гос. ун-т, 2021. С. 3-6.
Варизонные гетероструктуры Alx InyGa1−x−yPzAs1−z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей //
ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2021. DOI: 10.21883/PJTF.2021.20.51610.18907. R
2020
Effect of Bismuth on the Structural Perfection of Elastically Strained AlGaInSbBi Epitaxial Layers Grown on InSb Substrates // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. 2020. DOI: 10.1134/S1027451020040217. Q4
INFLUENCE OF THERMAL ANNEALING ON THE STRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF THIN ALUMINUM NITRIDE FILMS ON SAPPHIRE // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2020. DOI: 10.26456/pcascnn/2020.12.591. Q
Isoperiodic GaxIn1 –xSbyAszP1 –y–z/InP Heterostructures for Planar p–n Photodiodes // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2020. DOI: 10.1134/S1063785020100077. Q4
Phase Transitions in Bismuth-Containing Elastostressed AlGaInSbBi-InSb Heterosystems // PHYSICS OF THE SOLID STATE. 2020. DOI: 10.1134/S1063783420040022. Q4
Polymer Films with Silver Nanoparticles Improve the Spectral Characteristics of Photovoltaic Converters // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2020. DOI: 10.1134/S1063785020010265. Q4
Synthesis from the liquid phase of bismuth-containing AlGaInAsP solid solutions on InP substrates: Growth kinetics, structural and luminescent properties // THIN SOLID FILMS. 2020. DOI: 10.1016/j.tsf.2020.138295. Q3
THE MICROSTRUCTURE OF POLYMER FUNCTIONAL COATINGS // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2020. DOI: 10.26456/pcascnn/2020.12.617. Q
ИЗОПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GA--X--IN--1-X--SB--Y--AS--Z--P--1-Y-Z--/INP ДЛЯ ПЛАНАРНЫХ P-N-ФОТОДИОДОВ //
ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50044.18379. R
Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей //
ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48955.18077. R
Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Физика и техника полупроводников. 2020. DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49505.9388. R
ИЗОПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GA--X--IN--1-X--SB--Y--AS--Z--P--1-Y-Z--/INP ДЛЯ ПЛАНАРНЫХ P-N-ФОТОДИОДОВ //
ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50044.18379. R
Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей //
ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48955.18077. R