№ 2023685760 от 29.11.2023 г. «Программа расчета параметров зонной перекристаллизации в градиенте температур для получения непоглощающих окон в двойной лазерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs»

Год
2023

Тип патента, инновации
Свидетельство о регистрации программ ЭВМ, базы данных, топология интегральных схем - 2,5 баллов

Общее количество авторов
3

Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2023685760 от 29.11.2023 г. «Программа расчета параметров зонной перекристаллизации в градиенте температур для получения непоглощающих окон в двойной лазерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs».

Авторы: Девицкий О.В., Сысоев И.А., Митрофанова Д.В. 

Правообладатели: 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр Южный научный центр академии наук» (ЮНЦ РАН

 

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Северо-Кавказский федеральный университет» (СКФУ)