№ 2377693 Интегральный логический элемент "НЕ" на основе сверхрешетки второго типа.
Коноплёв Б.Г., Рындин Е.А. Правообладатели ФГОУ ВПО ЮФУ, ЮНЦ РАН. 27.12.2009 г.
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ "НЕ" НА ОСНОВЕ СВЕРХРЕШЕТКИ ВТОРОГО ТИПА
Автор(ы):
Коноплев Борис Георгиевич (RU),
Рындин Евгений Адальбертович (RU)
Патентообладатель(и):
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU),
Южный научный центр Российской академии наук (RU)
ОДИН ИЗ РИС
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. Для повышения быстродействия и уменьшения занимаемой площади в интегральный логический элемент «не» введены области третьего и четвертого каналов собственной проводимости, дополнительные AlGaAs-области первого и второго типов проводимости, образующие управляющий р-n-переход, дополнительная металлическая входная шина, дополнительные выходные области первого и второго типов проводимости, дополнительная выходная металлическая шина, области аморфизации, причем области каналов образуют сверхрешетку второго типа.
Задачей предлагаемого изобретения является увеличение быстродействия и уменьшение площади интегрального логического элемента.
Для достижения необходимого технического результата в интегральный логический элемент «НЕ» на основе сверхрешетки второго типа, содержащей два канала собственной проводимости, введены дополнительные области третьего и четвертого каналов собственной проводимости.
Использование эффекта туннелирования электронов между областями первого и третьего каналов, и дырок - между областями второго и четвертого каналов, образованных квантовыми ямами сверхрешетки второго типа, а также дополнительных особенностей изобретения, обеспечивает переключение интегрального логического элемента из состояния логического нуля в состояние логической единицы и наоборот под воздействием управляющих входных напряжений в течение времени. Использование квантовых областей сверхрешетки второго типа в качестве каналов для электронов и дырок обеспечивает, с одной стороны, пространственное разделение электронов и дырок, а с другой - уменьшение площади интегрального логического элемента за счет вертикальной и функциональной интеграции областей каналов.
