Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
«Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук» (ЮНЦ РАН)
«Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук» (ЮНЦ РАН)
ЮНЦ РАН
№ 2011140888 Гетероструктуры SiC/Si и Diamond/SiC/Si, а также способы их синтеза.
Тарала В.А., Синельников Б.М.
дата подачи 07.10.2011.
Год
2011
Тип патента, инновации
Патент на изобретение, зарегистрирован в РФ - 5 баллов
Гетероструктуры SiC/Si и Diamond/SiC/Si, а также способы их синтеза.
Тарала В.А., Синельников Б.М.
Заявка на изобретение N2011140888 дата подачи 07.10.2011.