№ 2400000 Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда.
Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А.
20.09.2010.
Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда./
Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А.
Патент РФ N 2400000 от 20.09.2010.
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С УПРАВЛЯЕМОЙ ПЕРЕДИСЛОКАЦИЕЙ МАКСИМУМА АМПЛИТУДЫ ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
Автор(ы):
Коноплев Борис Георгиевич (RU),
Рындин Евгений Адальбертович (RU),
Денисенко Марк Анатольевич (RU)
Патентообладатель(и):
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU),
Южный научный центр Российской академии наук (RU)
Лазер содержит полуизолирующую подложку, квантово-размерную активную область собственной проводимости, образующую гетеропереходы второго типа с верхним и нижним волноводными слоями, а также имеющие горизонтальное взаимное расположение области эмиттеров первого и второго типов проводимости. Верхний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с верхней областью оптического ограничения второго типа проводимости, а нижний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с нижней областью оптического ограничения второго типа проводимости. В лазер введены управляющая область первого типа проводимости, примыкающая сверху к подложке, а снизу - к нижней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующая с ней p-n-переход, омический контакт к управляющей области первого типа проводимости, управляющий металлический контакт, примыкающий сверху к верхней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующий с ней переход Шоттки. Омические контакты к областям эмиттеров первого и второго типов проводимости расположены на верхней грани полупроводникового кристалла. Нижняя граница зоны проводимости активной области совпадает с нижней границей зоны проводимости верхнего волноводного слоя, верхняя граница валентной зоны активной области совпадает с верхней границей валентной зоны нижнего волноводного слоя. Технический результат заключается в увеличении быстродействия устройства.
Формула изобретения
Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда, содержащий подложку, квантово-размерную активную область собственной проводимости, верхний и нижний волноводные слои, примыкающие соответственно сверху и снизу к квантово-размерной активной области собственной проводимости, область эмиттера первого типа проводимости, область эмиттера второго типа проводимости, омический контакт к области эмиттера первого типа проводимости, омический контакт к области эмиттера второго типа проводимости, верхнюю область оптического ограничения второго типа проводимости, примыкающую сверху к верхнему волноводному слою, нижнюю область оптического ограничения второго типа проводимости, примыкающую снизу к нижнему волноводному слою, отличающийся тем, что в него введены управляющая область первого типа проводимости, примыкающая сверху к подложке, а снизу - к нижней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующая с ней p-n-переход, омический контакт к управляющей области первого типа проводимости, управляющий металлический контакт, примыкающий сверху к верхней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующий с ней переход Шоттки, при этом подложка полуизолирующая, области эмиттеров первого и второго типов проводимости имеют горизонтальное взаимное расположение, омические контакты к областям эмиттеров первого и второго типов проводимости расположены на верхней грани полупроводникового кристалла, квантово-размерная активная область образует гетеропереходы второго типа с верхним и нижним волноводными слоями, причем нижняя граница зоны проводимости активной области совпадает с нижней границей зоны проводимости верхнего волноводного слоя, верхняя граница валентной зоны активной области совпадает с верхней границей валентной зоны нижнего волноводного слоя, верхний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с верхней областью оптического ограничения, нижний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с нижней областью оптического ограничения.
