Чеботарев С.Н., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л. Наноструктуры AIVBIV и AIIIBV для устройств оптоэлектроники. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2014. – 275 с. – ISBN 978-5-4358-0086-9

Науки
Технические науки
Чеботарев С.Н., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л. Наноструктуры AIVBIV и AIIIBV для устройств оптоэлектроники. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2014. – 275 с. – ISBN 978-5-4358-0086-9

Авторы: Чеботарев С.Н., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л.
Название издания: Наноструктуры AIVBIV и AIIIBV для устройств оптоэлектроники
Язык: русский
Специфические сведения: –
Год выпуска: 2014
Количество страниц: 275
Тираж: 350 экз.
Формат: 60×90 1/16 (145×215 мм)
Переплет: твердый
Аннотация: Монография обобщает результаты научных исследований, проведенных авторами в Южном научном центре РАН. Рассмотрены закономерности получения и свойства полупроводниковых низкоразмерных гетеросистем AIVBIV и AIIIBV. Описаны ростовая аппаратура и аналитические методики исследования оптоэлектронных наноструктур. Представлены новые экспериментальные данные по ионно-лучевой кристаллизации гетероструктур с квантовыми точками для фотоэлектрических преобразователей и фотодетекторов. Проведены оригинальные расчеты фазовых диаграмм. Показано, что жидкофазная эпитаксия остается лидирующим технологическим методом получения четырех и пятикомпонентных наногетероструктур. Изучены особенности газофазной эпитаксии и исследованы функциональные характеристики выращенных лазерных диодных структур на квантовых ямах.
Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.
Цена (для книг из раздела «Книги в наличии»