С.н.с. ЮНЦ РАН, к. ф.-м. н. Анатолий Ковтун награждён юбилейной медалью

Старший научный сотрудник ЮНЦ РАН, кандидат физико-математических наук Анатолий Ковтун награждён юбилейной медалью «300 лет Российской академии наук».
Анатолий Павлович – физик-теоретик. В системе РАН трудится с 1989 года. В составе группы из 15 ростовских физиков в 1980-х годах он был приглашён на работу в Институт общей физики Академии наук СССР академиком, лауреатом Нобелевской премии по физике Александром Михайловичем Прохоровым.
Мы попросили исследователя рассказать о  его научной деятельности.

–  Анатолий Павлович, над чем вы сейчас работаете?
– Я работаю с очень перспективным (для электроники) классом сегнетоэлектрических материалов (оксиды переходных металлов), внутри которых образуются домены нанометрового размера. Такие домены регистрируются в тонких пленках, толщины которых сравнимы с размерами доменов или элементарной ячейки материалов.
– Какие результаты при этом получены?
– В лаборатории наноразмерных активных сред и материалов ЮНЦ РАН под руководством доктора физико-математических наук Владимира Михайловича Мухортова был разработан оригинальный способ получения совершенных эпитаксиальных пленок нанометровой толщины с сохранением внутри объема пленки локализованных поляризационных состояний. Из этих состояний (доменов) образуются надатомные «сверхструктуры» (или «сложные доменные структуры»), которые под действием электрических полей могут менять свою пространственную конфигурацию (запись информации). Плотность записи информации через сложные доменные структуры нанометровых размеров очень высокая. Это и обеспечивает перспективность исследований в этой области.
– Какие перед Вами как физиком-теоретиком стоят задачи?
– Атомный механизм процесса локализации поляризованного сегнетоэлектрического состояния (механизм образования домена) на сегодня не является общепринятым и в высшей степени не понят. Для более полного определения механизма такого перспективного явления требуется не только развитие технического парка приборов, но и развитие средств математического моделирования, позволяющих по косвенным экспериментальным признакам, полученным в макроскопических условиях, судить о возможном механизме локализации в объеме пленки нанометровой толщины. Создание программных средств для моделирования поведения доменной структуры в тонких пленках в нанометровом объеме под действием электрических полей является основным направлением работ с моим участием.
– Сотрудники лаборатории показывают хороший результат исследований на общероссийском уровне, есть публикации в известных научных журналах.
– Полученные результаты носят пока сугубо предварительный характер. Основная проблема связана с атомной структурой электрического домена, которая намного  сложнее магнитного домена. Если магнитный домен мысленно легко представить в объеме элементарной ячейки (домен определен на уровне переходного, или редкоземельного атома), то электрический домен если и представлять мысленно, то он может явиться только комбинацией большого числа смещений ионов с возможными изменениями их собственных зарядов.
В настоящее время готовится статья по возможной структуре электрических доменов и их поведения в электрических полях в оксидах переходных металлов, содержащих барий, стронций, титан и ниобий.

Вопросы задавала Вероника Белоцерковская
Автор фото: Владимир Мухортов