Учёные лаборатории физики полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН ЮНЦ РАН изучают новые возможности
выращивания тонких полупроводниковых плёнок.
Учёные ЮНЦ РАН изучают новые возможности выращивания тонких полупроводниковых плёнок.
Очередной этап работ – спектроскопия комбинационного рассеяния - прошёл благодаря появлению в Центре коллективного пользования ЮНЦ РАН спектрометра, произведённого в Республике Беларусь.
Спектроскопия комбинационного рассеяния как метод локального структурного анализа и состава применяется в химии, фармацевтике, исследовании материалов электронной техники, оптоэлектронике и фотонике, материаловедении, экологии, криминалистике, выявлении опасных веществ.
Результаты исследования были представлены физиками Александром Пащенко и Олегом Девицким в ЮНЦ РАН на Всероссийской научно-практической конференции с международным участием «Научное приборостроение – перспективы разработок, создания, развития и использования». Тема доклада: «Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaInAsBi».
Заведующий лабораторией физики полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН, кандидат физико-математических наук Александр Пащенко:
«Ранее мы сообщали о выращивании тонких пленок GaInAsBi на подложках Si и GaAs методом импульсного лазерного напыления. Одним из этапов этого исследования является изучение локальной структуры и состава методом комбинационного рассеяния света (в зарубежной терминологии – рамановская спектроскопия). В докладе представлены результаты. В ходе исследования удалось подтвердить состав твердого раствора GaInAsBi и обнаружить локальные эффекты в пленках, обусловленные присутствием дефектов упаковки в пленках.
Приобретение прибора было осуществлено благодаря программе обновления приборной базы ведущих организаций, выполняющих научные исследования и разработки в рамках федерального проекта "Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров" национального проекта "Наука и университеты" (2020-2024 гг.). Финансовая поддержка – Минобрнауки России».
На фото: Александр Пащенко и Олег Девицкий
Фото: Дмитрий Никулин
