Change of the loop directions on the high-frequency capacitance-voltage characteristics at a critical bias voltage, dielectric properties and memory effects in the Sr0.6Ba0.4Nb2O6/SrTiO3/Si(001) heterostructure; [Смена направления обхода петли на высокочастотных вольт-фарадных характеристиках при критическом значении смещающего напряжения, диэлектрические свойства и эффекты памяти в гетероструктуре Sr0.6Ba0.4Nb2O6/SrTiO3/Si(001)]

Павленко А.В. Смена направления обхода петли на высокочастотных вольт-фарадных характеристиках при критическом значении смещающего напряжения, диэлектрические свойства и эффекты памяти в гетероструктуре Sr0.6Ba0.4Nb2O6/SrTiO3/Si(001) // Письма в журнал технической физики. — 2023. — Т. 49, № 19. — С. 11–14. — DOI: 10.21883/PJTF.2023.19.56265.19652