Defects in GaInAsBi Epitaxial Films on Si(001) Substrates; [Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001)]

Пащенко А.С., Девицкий О.В., Лунина М.Л. Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001) // Физика и техника полупроводников. – 2023. – Т. 57, – №8. – С. 652-657. [ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunina M.L. Defects in GaInAsBi epitaxial films on Si(001) substrates // Semiconductors. – 2023. – V.57, № 8. – P. 632–637]. —DOI: 10.21883/0000000000

Количество авторов
3

Ссылка на публикацию в сети интернет
https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/57618?jaccess=65fccd14a15291.02784628

Год
2023