Выращивание твердого раствора GaInAsSbBi на подложке GaSb(100), разориентированной на 6° к плоскости (111)A

Пащенко А.С., Никулин Д.А., Блохин Э.Е. Выращивание твердого раствора GaInAsSbBi на разориентированной подложке GaSb (100) 6° (111)A // Физика твердого тела. — 2025. — Т. 67, № 12. — С. 2363-2366.