Структура и состав тонких пленок GaAs1-x-yNxBiy, полученных методом импульсного лазерного напыления

Девицкий О.В. Структура и состав тонких пленок GaAs1-x-yNxBiy, полученных методом импульсного лазерного напыления // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. – 2022. – Вып. 14, с.593-601.

Сотрудник
Количество авторов
1
Ссылка на публикацию в сети интернет
https://www.doi.org/10.26456/pcascnn/2022.14.593
Год
2022
Девицкий О.В. Структура и состав тонких пленок GaAs1-x-yNxBiy, полученных методом импульсного лазерного напыления // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. – 2022. – Вып. 14, с.593-601.