Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры

Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Физика и техника полупроводников. 2020. DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49505.9388. R

Сотрудник
Пащенко Александр Сергеевич Пащенко Ольга Сергеевна Лунина Марина Леонидовна Алфимова Дина Леонидовна Лунин Леонид Сергеевич
Количество авторов
6
Год
2020
Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Физика и техника полупроводников. 2020. DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49505.9388. R