«Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук» (ЮНЦ РАН)
Влияние условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs на подложке GaAs (100) [Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate]
Девицкий О. В., Захаров А. A., Лунин Л. С., Сысоев И. А., Пащенко А. С., Вакалов Д. С., Чапура О.М. Влияние условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs на подложке GaAs (100) // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2022. — № 24(3). — С. 300–305. ПЕРЕВОД: Devitsky O.V., Zakharov A.A., Lunin L.S., Sysoev I. A., Pashchenko A.S., Vakalov D. S., Chapura O. M. Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate // Kondensirovannye Sredy Mezhfaznye Granitsy. — 2022. — Vol. 24, №. 3. — P. 300–305. DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/9851.
Девицкий О. В., Захаров А. A., Лунин Л. С., Сысоев И. А., Пащенко А. С., Вакалов Д. С., Чапура О.М. Влияние условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs на подложке GaAs (100) // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2022. — № 24(3). — С. 300–305. ПЕРЕВОД: Devitsky O.V., Zakharov A.A., Lunin L.S., Sysoev I. A., Pashchenko A.S., Vakalov D. S., Chapura O. M. Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate // Kondensirovannye Sredy Mezhfaznye Granitsy. — 2022. — Vol. 24, №. 3. — P. 300–305. DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/9851.