Девицкий Олег Васильевич

Devitsky O.V., Pashchenko A.S., Lunin L.S., Sysoev I.A., Nikulin D.A. Advances and perspectives in the growth of III-N heterostructures for solar cells: an overview // Solar Energy Materials and Solar Cells. — 2025. — Vol. 292, Art. No. 113818. — P. 1-20. — DOI: 10.1016/j.solmat.2025.113818. — Индексация: УБС — 1 (Рег. № НИОКТР 125011200148-9).

Devitsky O.V., Kravtsov A.A. Effect of thermal annealing on the structural evolution of thin ceramic YAG: Ce films grown by pulsed laser deposition // Ceramics International. — 2025. — Vol. 51, No. 5. — P. 6011–6022. — DOI: 10.1016/j.ceramint.2024.12.047. — Индексация: Web of Science Core Collection, квартиль категории JCR — Q1, уровень «Белого списка» — 1 (Рег. № НИОКТР 122020100326-7)

Suprunchuk V.E., Kravtsov A.A., Devitsky O.V., Chapura O.M., Malyavin F.F., Lapin V.A., Tarala L.V., Medyanik E., Bedrakov D.P., Vakalov D.S., Tarala V.A. Structural and optical properties of YAG:Ru ceramics // Optical Materials. — 2025. — Vol. 167, Art. No. 117296. — P. 1-

Девицкий О.В. Активация молекулярного азота в тлеющем разряде при импульсном лазерном напылении // Научное приборостроение: перспективы разработки, создания, развития и использования: Материалы II Всероссийской научно-практической конференции с международным участием памяти члена-корреспондента РАН Д.Г. Матишова / г. Ростов-на-Дону, (21–23 августа 2025 г.). — Ростов-на-Дону: Южный научный центр РАН, 2025. — С. 120–122. — EDN: DRJVDC

Девицкий О. В. Влияние соотношения концентраций N и Bi на структурные свойства в твердом растворе GaAs1-x-yNxBiy Наука Юга России: достижения и перспективы. Тезисы докладов XXI Всероссийской ежегодной молодежной научной конференции с международным участием / г. Ростов-на-Дону, (14–25 апреля 2025 г.) — Ростов-на-Дону: Южный научный центр РАН, 2025. — С. 264

Пащенко А.С., Девицкий О.В. Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaAsBi на подложке Si (111) // Научное приборостроение: перспективы разработки, создания, развития и использования: Материалы II Всероссийской научно-практической конференции с международным участием памяти члена-корреспондента РАН Д.Г. Матишова / г. Ростов-на-Дону, (21-23 августа 2025 г.). — Ростов-на-Дону: Южный научный центр РАН, 2025. — С. 153–155.

Кравцов А.А., Лапин В.А., Медяник Е.В., Тарала Л.В., Девицкий О.В. Люминесцентная керамика LuGdAG:Ce с высоким индексом цветопередачи: влияние термического отжига на люминесцентные свойства // Письма в Журнал технической физики. — 2025. — Т. 51, № 8. — С. 40-44. — DOI 10.61011/PJTF.2025.08.60162.20211. — EDN ESQQTG. ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Kravtsov A.A., Lapin V.A., Medyanik E.V., Tarala L.V., Devitsky O.V. Luminescent ceramics LuGdAG:Ce with high color rendering index: Effect of thermal annealing on luminescent properties // Technical Physics Letters. — 2025. — Vol. 51, No. 4. — P. 89-92. — DOI: 10.61011/TPL.2025.04.61010.20211

Девицкий О. В. Современные методы получения тонких пленок GaAs1-x-yNxBiy: обзор // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. — 2025. — № 17. — С. 636-648. — DOI 10.26456/pcascnn/2025.17.636. — EDN KZGPTM.

Девицкий О.В. Структурные и оптические свойства тонких пленок GaAs1-yBiy, выращенных методом импульсного лазерного напыления на подложках Si (111) // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XXXI Международной конференции / г. Краснодар, (28 сентября – 04 октября 2025 г.). — Краснодар: ИП Кабанов В.Б. (Издательство "Новация"), 2025. — С. 257-261

Девицкий О. Влияние параметров импульсного лазерного напыления на состав тонких пленок GaAsNBi // «Наука Юга России: достижения и перспективы». Тезисы докладов XX Всероссийской ежегодной молодежной научной конференции с международным участием / г. Ростов-на-Дону, (15.04.2024 г.– 26.04.2024 г.). — Ростов-на-Дону: Изд-во ЮНЦ РАН, 2024. — С. 266. — EDN: JVPDMB.

Ломов А.А., Пащенко А.С., Девицкий О.В., Татаринцев А.А., Захаров Д.М., Мяконьких А.В., Поляков С.Н., Галкин А.С., Денисов В.Н. Влияние термического отжига наноразмерных пленок SiAlON на их оптические свойства // Труды Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН. — 2024. — Т. 32. — С. 231-254.

Девицкий О.В. Импульсное лазерное напыление как новый подход для получения тонких полупроводниковых пленок III–V–N–Bi // Научное приборостроение: перспективы разработки, создания, развития и использования: материалы Всероссийской научно-практической конференции с международным участием / г. Ростов-на-Дону, (17–20 сентября 2024 г.). — Ростов-на-Дону: Издательство ЮНЦ РАН, 2024. — С. 216-218.

Пащенко А.С., Девицкий О.В. Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaInAsBi // Научное приборостроение: перспективы разработки, создания, развития и использования: материалы Всероссийской научно-практической конференции с международным участием / г. Ростов-на-Дону, (17–20 сентября 2024 г.). — Ростов-на-Дону: Издательство ЮНЦ РАН, 2024. — С. 234-236.

Пащенко А., Девицкий О., Лунин Л. Структура и дефекты тонких пленок GaInAsBi, выращенных на подложках Si и GaAs // «Мокеровские чтения». 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники: сборник трудов / г. Москва, (22.05.2024 г.–23.05.2024 г.). — Москва: НИЯУ МИФИ, 2024. — С. 113-114. — EDN: GJXMBO.

Пащенко А.С., Девицкий О.В., Лунина М.Л. Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001) // Физика и техника полупроводников. – 2023. – Т. 57, – №8. – С. 652-657. [ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunina M.L. Defects in GaInAsBi epitaxial films on Si(001) substrates // Semiconductors. – 2023. – V.57, № 8. – P. 632–637]. —DOI: 10.21883/0000000000

Devitsky, O.V. Effect of bismuth content on the structural and electronic properties of GaAs1-yBiy: first principles calculations // Physical and chemical aspects of the study of clusters, nanostructures and nanomaterials. — 2023. — I. 15. — P. 404-411. DOI: 10.26456/pcascnn/2023.15.404. (In Russian). Q

Девицкий О.В. Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1-x-yNxBiy // Izvestiya of Saratov University. Physics. 2023., Т.23, №3. — С.365-370. DOI: 10.18500/1817-3020-2023-23-4-365-370

Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Lunina M.L., Pashchenko O.S., Danilina E.M. Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition // NANOSYSTEMS-PHYSICS CHEMISTRY MATHEMATICS. — 2023.— Vol. 14.0, No 5.— P. 601—605. — DOI: 10.17586/2220-8054-2023-14-5-601-605.

Devitsky O.V., Lunin L.S., Mitrofanov D.V., Sysoev I.A., Nikulin D.A., Chapura O.M. Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone; [Особенности выращивания твердых растворов Ga1–xInxAs на подложках GaAs в поле температурного градиента через тонкую газовую зону] // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. — 2023.— Vol. 23, No 4.0.— P. 703—710. — DOI: 10.17586/2226-1494-2023-23-4-703-710.

Девицкий О.В., Кравцов A.A. Синтез и структурные свойства тонких пленок YAG:Ce3+, полученных методом импульсного лазерного напыления // Письма в ЖТФ. – 2023. – Т. 49, – №4. – С. 35-38. [ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Devitsky O.V., Kravtsov A.A. Synthesis and structural properties of thin YAG:Ce3+ films produced by pulsed laser deposition // Technical Physics Letters. – 2023. – V.49, № 2. – P. 69–71]. —DOI: 10.21883/TPL.2023.02.55376.19420

Девицкий, О. В. Структура тонких пленок GaAs1-yNy , полученных методом импульсного лазерного напыления / О. В. Девицкий // Достижения и перспективы научных исследований молодых ученых Юга России: тезисы докладов XIX Ежегодной молодежной научной конференции (г. Ростов-на-Дону, 17–28 апреля 2023 г.) / [гл. ред. акад. Г.Г. Матишов]. – Ростов-на-Дону: Изд-во ЮНЦ РАН, 2023. – С. 268. – EDN WHTATE.

Девицкий О.В. Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления // Известия вузов. Физика. – 2023. – T. 66, – № 7, – С. 83–91. – DOI: 10.17223/00213411/66/7/10

Devitsky O.V. Influence of Argon Pressure on the Surface Morphology of Thin InGaAsP/Si Films // AIP Conference Proceedings. – 2022. – Vol. 2466. P. 030002.

Devitsky O.V., Mitrofanov D.V., Sysoev I.A., Kononov Y.G., Zakharov A.A., Kravtsov A.A. Influence of Indium Concentration on the Structure and Surface Morphology of InGaAs Films Obtained by Liquid-Phase Epitaxy // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022, St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. P. 942-945.

Devitsky O.V., Nikulin D.A., Sysoev I.A., Kononov Y.G., Zakharov A.A., Mitrofanov D.V. PLD Growth of InGaAsP Nanowires: Morphology Surface and Structural Property // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022, St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. P. 946-949.

Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Lunina M. L., Pashchenko O.S. Structural properties of GaInAsSbBi solid solutions grown on GaSb substrates // Technical Physics Letters. – 2022. – Iss. 5. – P. 52-55.

Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Kasyanov I.V., Pashchenko O.S., Nikulin D.A. Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. 2022. Vol. 743. P. 139064.

Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Фоминский М.Ю., Захаров Д.М., Ломов А.А., Девицкий О.В., Гунбина А.А., Сохина Е.Т., Эдельман В.C. Superconducting thin films and tunnel junctions based on aluminum // Physics of the Solid State. 2022. Vol. 64, No. 10. P.1352-1355.

Kichuk S.N., Chikulina I.S., Kononov Y.G., Kravtsov A.A., Vakalov D.S, Krandievsky S.O. Synthesis of ZnS: Cu, Al electroluminescent powder using nanohybridization process // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022, St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. P. 1119-1122.

Девицкий О. В., Захаров А. A., Лунин Л. С., Сысоев И. А., Пащенко А. С., Вакалов Д. С., Чапура О.М. Влияние условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs на подложке GaAs (100) // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2022. — № 24(3). — С. 300–305. ПЕРЕВОД: Devitsky O.V., Zakharov A.A., Lunin L.S., Sysoev I. A., Pashchenko A.S., Vakalov D. S., Chapura O. M. Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate // Kondensirovannye Sredy Mezhfaznye Granitsy. — 2022. — Vol. 24, №. 3. — P. 300–305. DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/9851.

Девицкий О.В. Особенности импульсного лазерного напыления тонких пленок InGaAsN в атмосфере активного фонового газа // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. — 2022. — № 22(6). — С. 24–29. ПЕРЕВОД: Devitsky O.V. Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. — 2022. — Vol. 22, No. 6. — P. 1085–1091.

Девицкий О.В. Структура и состав тонких пленок GaAs1-x-yNxBiy, полученных методом импульсного лазерного напыления // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. – 2022. – Вып. 14, с.593-601.

Devitsky, O.V. Structure and composition of thin GaAs1-x-yNxBiy films produced by pulsed laser deposition / O.V. Devitsky // Physical and chemical aspects of the study of clusters, nanostructures and nanomaterials. — 2022. — I. 14. — P. 593-601. DOI: 10.26456/pcascnn/2022.14.593. (In Russian). Q

Пащенко А.С., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Данилина Э.М., Пащенко О.С., Касьянов И.В. Влияние металлоидов на структурные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов AIIIBV // Труды Южного научного центра Российской академии наук. – 2022. – Т. 10. – С. 216-232. – DOI 10.23885/1993-6621-2022-10-216-232

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Рост напряженных тонких пленок InGaAsN на подложке GaAs и Si методом импульсного лазерного напыления // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022. [Электронный ресурс]: тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. / отв. за вып. А. В. Ищенко. Екатеринбург: УрФУ, 2022. С. 158-160.

Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Фоминский М.Ю., Захаров Д.М., Ломов А.А., Девицкий О.В., Гунбина А.А., Сохина Е.Т., Эдельман В.C. Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. С. 137-138.

Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Фоминский М.Ю., Захаров Д.М., Ломов А.А., Девицкий О.В., Гунбина А.А., Сохина Е.Т., Эдельман В.C. Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума / г. Нижний Новгород, (14–17 марта 2022 г.). В 2 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. — С. 137–138.

Девицкий О.В., Пащенко А.С., Лунин Л.С. Структурные свойства твердых растворов GaInAsBi, выращенных на подложках GaAs // Мокеровские чтения: 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 25–26 мая 2022 года. – МОСКВА: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 2022. – С. 70-71.

LUMINESCENCE OF YAG:CE DOPED WITH SILVER NANOPARTICLES // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2021. DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.220. Q

Numerical simulation of functional characteristics of solar elements ingaasn/si // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. 2021. DOI: 10.17586/2226-1494-2021-21-2-191-197. S

Девицкий О.В. ROUGHNESS AND STRUCTURE OF INGAASN THIN FILMS ON SI // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2021. DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.106. Q

STUDY OF THE COMPOSITION OF GAAS1-YBIY FILMS OBTAINED BY PULSED LASER // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2021. DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.096. Q

Using silver nanoparticles for the increase of YAG: Ce luminescence // Journal of Physics: Conference Series. 2021. DOI: 10.1088/1742-6596/2094/2/022021. Q

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Влияние давления аргона на морфологию поверхности тонких пленок InGaAsP/Si, полученных методом импульсного лазерного напыления // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2021: тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции, Екатеринбург, 17-21 мая 2021 г. / отв. за вып. А.В. Ищенко. Екатеринбург: УрФУ, 2021. С. 190-192.

Девицкий О.В., Пащенко А.С., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление InGaAsP на GaAs и Si // Мокеровские чтения. 12-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 19–20 мая 2021 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 29-30.

Девицкий О.В., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление гетероструктур InGaAsP/Si // Сборник научных трудов X международной конференции по фотонике и информационной оптике: М.: НИЯУ МИФИ, 2021. – 496 с

Девицкий О.В., Пащенко C.А., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок GaAs1-yBiy // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXVII Междунар. науч. конф. (под науч. ред. В.А. Исаева, С.А. Аванесова, А.В Лебедева) Краснодар: Кубанский гос. ун-т, 2021. С. 3-6.

Девицкий О.В., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Перспективы получения солнечных элементов на основе многокомпонентных соединений A3B5/Si методом импульсного лазерного напыления // Сборник материалов Всероссийского симпозиума с международным участием "Физика и химия процессов и материалов: от идей к современной технике и технологии", посвящённого 125-летию со дня рождения академика Н.Н. Семѐнова. 26-28 апреля 2021 года. – СПб.: Издательство «ЛЕМА», 2021. – 163 с.

Девицкий О.В. Получение тонких пленок GaAs1–xBix на кремниевых подложках // XVII Ежегодная молодежная научная конференция «Наука и технологии Юга России»: тезисы докладов (г. Ростов-на-Дону, 15–30 апреля 2021 г.). – Ростов-на-Дону: Изд-во ЮНЦ РАН, 2021. – 348 с.

Девицкий О.В. Флуктуации состава в тонких пленках InxGa1-xAs1-yPy, полученных методом импульсного лазерного напыления на подложках Si // Сборник тезисов VII Международной конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2021: Сборник научных трудов. Ч.2. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. – 481 с.

INFLUENCE OF THERMAL ANNEALING ON THE STRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF THIN ALUMINUM NITRIDE FILMS ON SAPPHIRE // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2020. DOI: 10.26456/pcascnn/2020.12.591. Q

Polymer Films with Silver Nanoparticles Improve the Spectral Characteristics of Photovoltaic Converters // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2020. DOI: 10.1134/S1063785020010265. Q4

PULSED LASER DEPOSITION OF ALUMINUM NITRIDE THIN FILMS ONTO SAPPHIRE SUBSTRATES // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. 2020. DOI: 10.17586/2226-1494-2020-20-2-177-184. S

Devitsky, O.V., Nikulin, D.A., Sysoev, I.A. Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates (2020) AIP Conference Proceedings, 2313, статья № 030012.

THE MICROSTRUCTURE OF POLYMER FUNCTIONAL COATINGS // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2020. DOI: 10.26456/pcascnn/2020.12.617. Q

THE POSSIBILITY OF USING NON-TRADITIONAL ELEMENTS IN THE EMERGENCY POWER SUPPLY SYSTEM FOR NUCLEAR POWER PLANTS' OWN NEEDS // ВЕСТНИК СЕВЕРО-КАВКАЗСКОГО ФЕДЕРАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА. 2020. DOI: 10.37493/2307-907X.2020.5.1. V

Девицкий О.В. Влияние термического отжига на морфологию поверхности тонких пленок AlN/Al2O3 // Материалы XVI Ежегодной молодежной научной конференции Юг России: вызовы времени, открытия, перспективы (г. Ротов-на-Дону, 13-28 апреля 2020 г.). - Ротов-на-Дону: ЮНЦ РАН, 2020. 168 с.

Девицкий О.В., Касьянов И.В., Никулин Д.А.Влияния термического отжига на оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире // Сборник научных трудов IX Международной конференции по фотонике и информационной оптике: М.: НИЯУ МИФИ, 2020. – 704 С.

Девицкий О.В., Сысоев И.А. Исследование вольтамперных характеристик фотопреобразователей на основе наногетероструктур GaхIn1-хP1-уAsу/GaAs // Сборник материалов XXVI Международной научной конференции Оптика и спектроскопия конденсированных сред (под научн. ред. В.А. Исаева, А.В. Лебедева) - Краснодар: Кубанский государственный университет, 2020. - 326 с.

Девицкий О.В., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире, полученных методом ионно-лучевого осаждения // Сборник научных трудов IX Международной конференции по фотонике и информационной оптике: М.: НИЯУ МИФИ, 2020. – 704 С.

Касьянов И.В., Девицкий О.В., Сысоев И.А. Особенности конструкции теплофотоэлектрической панели с автотерморегулированием // Сборник тезисов докладов Второй научно-практической конференции ученых России и Хорватии в Дубровнике. М.: НИТУ МИСиС, 2020. - c. 108.

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Получение и структура тонких гетероэпитаксиальных пленок InGaAsP/Si // Сборник материалов Шестого междисциплинарного научного форума с международным участием Новые материалы и перспективные технологии. 2020. – 1034 С.

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Получение тонких пленок GaN/Al2O3 методом импульсного лазерного напыления // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2020. [Электронный ресурс]: тезисы докладов VII Международной молодежной научнойконференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета, Екатеринбург, 18-22 мая 2020 г. / отв. за вып. А. В. Ищенко. – Екатеринбург: УрФУ, 2020. – 22 Мбайт. 1 электрон. опт диск (CDROM).

Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48955.18077. R

Девицкий О.В., Осипян В.Б., Сысоев И.А. Структура тонких пленок AlxGa1-xAs НА Si // Актуальные вопросы современного материаловедения: материалы VI Международной молодежной научно-практической конференции (г.Уфа, 30 октября 2019 г.) / отв. ред. О.С. Куковинец. Уфа: РИЦ БашГУ, 2020. 128-134 с.

Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48955.18077. R

(n=2): Девицкий Олег Васильевич, Сысоев Игорь Александрович. Правообладатели: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Северо-Кавказский федеральный университет», Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук».

Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2023685760 от 29.11.2023 г. «Программа расчета параметров зонной перекристаллизации в градиенте температур для получения непоглощающих окон в двойной лазерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs». Авторы: Девицкий О.В., Сысоев И.А., Митрофанова Д.В. Правообладатели: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр Южный научный центр академии наук» (ЮНЦ РАН Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Северо-Кавказский федеральный университет» (СКФУ)