Девицкий Олег Васильевич

ведущий научный сотрудник, кандидат технических наук

Научная степень
Кандидат наук

Тип подразделения
Научные подразделения

Телефон
(8652) 94-41-32 (Ставрополь)

О персональных данных
Персональные данные размещены на основании письменного Согласия сотрудника на обработку персональных данных, оформленного в соответствии с статьей 9 Федерального закона от 27 июля 2006г. №152-ФЗ "О персональных данных"

Счётчик публикаций из личного профиля РИНЦ




Публикации

2024

Влияние параметров импульсного лазерного напыления на состав тонких пленок GaAsNBi

Девицкий О. Влияние параметров импульсного лазерного напыления на состав тонких пленок GaAsNBi // «Наука Юга России: достижения и перспективы». Тезисы докладов XX Всероссийской ежегодной молодежной научной конференции с международным участием / г. Ростов-на-Дону, (15.04.2024 г.– 26.04.2024 г.). — Ростов-на-Дону: Изд-во ЮНЦ РАН, 2024. — С. 266. — EDN: JVPDMB.

Влияние термического отжига наноразмерных пленок SiAlON на их оптические свойства

Ломов А.А., Пащенко А.С., Девицкий О.В., Татаринцев А.А., Захаров Д.М., Мяконьких А.В., Поляков С.Н., Галкин А.С., Денисов В.Н. Влияние термического отжига наноразмерных пленок SiAlON на их оптические свойства // Труды Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН. — 2024. — Т. 32. — С. 231-254.

Импульсное лазерное напыление как новый подход для получения тонких полупроводниковых пленок III–V–N–Bi

Девицкий О.В. Импульсное лазерное напыление как новый подход для получения тонких полупроводниковых пленок III–V–N–Bi // Научное приборостроение: перспективы разработки, создания, развития и использования: материалы Всероссийской научно-практической конференции с международным участием / г. Ростов-на-Дону, (17–20 сентября 2024 г.). — Ростов-на-Дону: Издательство ЮНЦ РАН, 2024. — С. 216-218.

Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaInAsBi

Пащенко А.С., Девицкий О.В. Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaInAsBi // Научное приборостроение: перспективы разработки, создания, развития и использования: материалы Всероссийской научно-практической конференции с международным участием / г. Ростов-на-Дону, (17–20 сентября 2024 г.). — Ростов-на-Дону: Издательство ЮНЦ РАН, 2024. — С. 234-236.

Структура и дефекты тонких пленок GaInAsBi, выращенных на подложках Si и GaAs

Пащенко А., Девицкий О., Лунин Л. Структура и дефекты тонких пленок GaInAsBi, выращенных на подложках Si и GaAs // «Мокеровские чтения». 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники: сборник трудов / г. Москва, (22.05.2024 г.–23.05.2024 г.). — Москва: НИЯУ МИФИ, 2024. — С. 113-114. — EDN: GJXMBO.



2023

Defects in GaInAsBi Epitaxial Films on Si(001) Substrates; [Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001)]

Пащенко А.С., Девицкий О.В., Лунина М.Л. Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001) // Физика и техника полупроводников. – 2023. – Т. 57, – №8. – С. 652-657. [ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunina M.L. Defects in GaInAsBi epitaxial films on Si(001) substrates // Semiconductors. – 2023. – V.57, № 8. – P. 632–637]. —DOI: 10.21883/0000000000

Effect of bismuth content on the structural and electronic properties of GaAs1-yBiy: first principles calculations; [Влияние содержания висмута на структурные и электронные свойства GaAs1-yBiy: расчеты из первых принципов ]

Devitsky, O.V. Effect of bismuth content on the structural and electronic properties of GaAs1-yBiy: first principles calculations // Physical and chemical aspects of the study of clusters, nanostructures and nanomaterials. — 2023. — I. 15. — P. 404-411. DOI: 10.26456/pcascnn/2023.15.404. (In Russian). Q



Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone; [Особенности выращивания твердых растворов Ga1–xInxAs на подложках GaAs в поле температурного градиента через тонкую газовую зону]

Devitsky O.V., Lunin L.S., Mitrofanov D.V., Sysoev I.A., Nikulin D.A., Chapura O.M. Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone; [Особенности выращивания твердых растворов Ga1–xInxAs на подложках GaAs в поле температурного градиента через тонкую газовую зону] // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. — 2023.— Vol. 23, No 4.0.— P. 703—710. — DOI: 10.17586/2226-1494-2023-23-4-703-710.

Synthesis and structural properties of thin YAG:Ce3+ films produced by pulsed laser deposition; [Синтез и структурные свойства тонких пленок YAG:Ce3+, полученных методом импульсного лазерного напыления]

Девицкий О.В., Кравцов A.A. Синтез и структурные свойства тонких пленок YAG:Ce3+, полученных методом импульсного лазерного напыления // Письма в ЖТФ. – 2023. – Т. 49, – №4. – С. 35-38. [ПЕРЕВОДНАЯ ВЕРСИЯ: Devitsky O.V., Kravtsov A.A. Synthesis and structural properties of thin YAG:Ce3+ films produced by pulsed laser deposition // Technical Physics Letters. – 2023. – V.49, № 2. – P. 69–71]. —DOI: 10.21883/TPL.2023.02.55376.19420

Структура тонких пленок GaAs1-yNy , полученных методом импульсного лазерного напыления

Девицкий, О. В. Структура тонких пленок GaAs1-yNy , полученных методом импульсного лазерного напыления / О. В. Девицкий // Достижения и перспективы научных исследований молодых ученых Юга России: тезисы докладов XIX Ежегодной молодежной научной конференции (г. Ростов-на-Дону, 17–28 апреля 2023 г.) / [гл. ред. акад. Г.Г. Матишов]. – Ростов-на-Дону: Изд-во ЮНЦ РАН, 2023. – С. 268. – EDN WHTATE.

Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления

Девицкий О.В. Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления // Известия вузов. Физика. – 2023. – T. 66, – № 7, – С. 83–91. – DOI: 10.17223/00213411/66/7/10



2022


Influence of Indium Concentration on the Structure and Surface Morphology of InGaAs Films Obtained by Liquid-Phase Epitaxy

Devitsky O.V., Mitrofanov D.V., Sysoev I.A., Kononov Y.G., Zakharov A.A., Kravtsov A.A. Influence of Indium Concentration on the Structure and Surface Morphology of InGaAs Films Obtained by Liquid-Phase Epitaxy // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022, St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. P. 942-945.

PLD Growth of InGaAsP Nanowires: Morphology Surface and Structural Property

Devitsky O.V., Nikulin D.A., Sysoev I.A., Kononov Y.G., Zakharov A.A., Mitrofanov D.V. PLD Growth of InGaAsP Nanowires: Morphology Surface and Structural Property // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022, St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. P. 946-949.



Superconducting thin films and tunnel junctions based on aluminum

Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Фоминский М.Ю., Захаров Д.М., Ломов А.А., Девицкий О.В., Гунбина А.А., Сохина Е.Т., Эдельман В.C. Superconducting thin films and tunnel junctions based on aluminum // Physics of the Solid State. 2022. Vol. 64, No. 10. P.1352-1355.

Synthesis of ZnS: Cu, Al electroluminescent powder using nanohybridization process

Kichuk S.N., Chikulina I.S., Kononov Y.G., Kravtsov A.A., Vakalov D.S, Krandievsky S.O. Synthesis of ZnS: Cu, Al electroluminescent powder using nanohybridization process // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022, St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. P. 1119-1122.

Влияние условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs на подложке GaAs (100) [Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate]

Девицкий О. В., Захаров А. A., Лунин Л. С., Сысоев И. А., Пащенко А. С., Вакалов Д. С., Чапура О.М. Влияние условий магнетронного распыления на структуру и морфологию поверхности тонких пленок InxGa1–xAs на подложке GaAs (100) // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2022. — № 24(3). — С. 300–305. ПЕРЕВОД: Devitsky O.V., Zakharov A.A., Lunin L.S., Sysoev I. A., Pashchenko A.S., Vakalov D. S., Chapura O. M. Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate // Kondensirovannye Sredy Mezhfaznye Granitsy. — 2022. — Vol. 24, №. 3. — P. 300–305. DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/9851.

Особенности импульсного лазерного напыления тонких пленок InGaAsN в атмосфере активного фонового газа [Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere]

Девицкий О.В. Особенности импульсного лазерного напыления тонких пленок InGaAsN в атмосфере активного фонового газа // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. — 2022. — № 22(6). — С. 24–29. ПЕРЕВОД: Devitsky O.V. Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere // Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. — 2022. — Vol. 22, No. 6. — P. 1085–1091.

Структура и состав тонких пленок GaAs1-x-yNxBiy, полученных методом импульсного лазерного напыления

Девицкий О.В. Структура и состав тонких пленок GaAs1-x-yNxBiy, полученных методом импульсного лазерного напыления // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. – 2022. – Вып. 14, с.593-601.


Влияние металлоидов на структурные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов AIIIBV

Пащенко А.С., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Данилина Э.М., Пащенко О.С., Касьянов И.В. Влияние металлоидов на структурные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов AIIIBV // Труды Южного научного центра Российской академии наук. – 2022. – Т. 10. – С. 216-232. – DOI 10.23885/1993-6621-2022-10-216-232

Рост напряженных тонких пленок InGaAsN на подложке GaAs и Si методом импульсного лазерного напыления

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Рост напряженных тонких пленок InGaAsN на подложке GaAs и Si методом импульсного лазерного напыления // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2022. [Электронный ресурс]: тезисы докладов IX Международной молодежной научной конференции, посвященной 100-летию со дня рождения профессора С. П. Распопина, Екатеринбург, 16-20 мая 2022 г. / отв. за вып. А. В. Ищенко. Екатеринбург: УрФУ, 2022. С. 158-160.

Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия

Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Фоминский М.Ю., Захаров Д.М., Ломов А.А., Девицкий О.В., Гунбина А.А., Сохина Е.Т., Эдельман В.C. Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. С. 137-138.

Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия (статья в сборнике)

Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Фоминский М.Ю., Захаров Д.М., Ломов А.А., Девицкий О.В., Гунбина А.А., Сохина Е.Т., Эдельман В.C. Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума / г. Нижний Новгород, (14–17 марта 2022 г.). В 2 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. — С. 137–138.

Структурные свойства твердых растворов GaInAsBi, выращенных на подложках GaAs

Девицкий О.В., Пащенко А.С., Лунин Л.С. Структурные свойства твердых растворов GaInAsBi, выращенных на подложках GaAs // Мокеровские чтения: 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 25–26 мая 2022 года. – МОСКВА: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 2022. – С. 70-71.



2021



ROUGHNESS AND STRUCTURE OF INGAASN THIN FILMS ON SI

Девицкий О.В. ROUGHNESS AND STRUCTURE OF INGAASN THIN FILMS ON SI // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. 2021. DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.106. Q



Влияние давления аргона на морфологию поверхности тонких пленок InGaAsP/Si, полученных методом импульсного лазерного напыления

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Влияние давления аргона на морфологию поверхности тонких пленок InGaAsP/Si, полученных методом импульсного лазерного напыления // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2021: тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции, Екатеринбург, 17-21 мая 2021 г. / отв. за вып. А.В. Ищенко. Екатеринбург: УрФУ, 2021. С. 190-192.

Импульсное лазерное напыление InGaAsP на GaAs и Si

Девицкий О.В., Пащенко А.С., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление InGaAsP на GaAs и Si // Мокеровские чтения. 12-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 19–20 мая 2021 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 29-30.


Импульсное лазерное напыление тонких пленок GaAs1-yBiy

Девицкий О.В., Пащенко C.А., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок GaAs1-yBiy // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXVII Междунар. науч. конф. (под науч. ред. В.А. Исаева, С.А. Аванесова, А.В Лебедева) Краснодар: Кубанский гос. ун-т, 2021. С. 3-6.

Перспективы получения солнечных элементов на основе многокомпонентных соединений A3B5/Si методом импульсного лазерного напыления

Девицкий О.В., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Перспективы получения солнечных элементов на основе многокомпонентных соединений A3B5/Si методом импульсного лазерного напыления // Сборник материалов Всероссийского симпозиума с международным участием "Физика и химия процессов и материалов: от идей к современной технике и технологии", посвящённого 125-летию со дня рождения академика Н.Н. Семѐнова. 26-28 апреля 2021 года. – СПб.: Издательство «ЛЕМА», 2021. – 163 с.

Получение тонких пленок GaAs1–xBix на кремниевых подложках

Девицкий О.В. Получение тонких пленок GaAs1–xBix на кремниевых подложках // XVII Ежегодная молодежная научная конференция «Наука и технологии Юга России»: тезисы докладов (г. Ростов-на-Дону, 15–30 апреля 2021 г.). – Ростов-на-Дону: Изд-во ЮНЦ РАН, 2021. – 348 с.

Флуктуации состава в тонких пленках InxGa1-xAs1-yPy, полученных методом импульсного лазерного напыления на подложках Si

Девицкий О.В. Флуктуации состава в тонких пленках InxGa1-xAs1-yPy, полученных методом импульсного лазерного напыления на подложках Si // Сборник тезисов VII Международной конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2021: Сборник научных трудов. Ч.2. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. – 481 с.



2020







Влияние термического отжига на морфологию поверхности тонких пленок AlN/Al2O3

Девицкий О.В. Влияние термического отжига на морфологию поверхности тонких пленок AlN/Al2O3 // Материалы XVI Ежегодной молодежной научной конференции Юг России: вызовы времени, открытия, перспективы (г. Ротов-на-Дону, 13-28 апреля 2020 г.). - Ротов-на-Дону: ЮНЦ РАН, 2020. 168 с.

Влияния термического отжига на оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире

Девицкий О.В., Касьянов И.В., Никулин Д.А.Влияния термического отжига на оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире // Сборник научных трудов IX Международной конференции по фотонике и информационной оптике: М.: НИЯУ МИФИ, 2020. – 704 С.

Исследование вольтамперных характеристик фотопреобразователей на основе наногетероструктур GaхIn1-хP1-уAsу/GaAs

Девицкий О.В., Сысоев И.А. Исследование вольтамперных характеристик фотопреобразователей на основе наногетероструктур GaхIn1-хP1-уAsу/GaAs // Сборник материалов XXVI Международной научной конференции Оптика и спектроскопия конденсированных сред (под научн. ред. В.А. Исаева, А.В. Лебедева) - Краснодар: Кубанский государственный университет, 2020. - 326 с.

Оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире, полученных методом ионно-лучевого осаждения

Девицкий О.В., Никулин Д.А., Сысоев И.А. Оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире, полученных методом ионно-лучевого осаждения // Сборник научных трудов IX Международной конференции по фотонике и информационной оптике: М.: НИЯУ МИФИ, 2020. – 704 С.

Особенности конструкции теплофотоэлектрической панели с автотерморегулированием

Касьянов И.В., Девицкий О.В., Сысоев И.А. Особенности конструкции теплофотоэлектрической панели с автотерморегулированием // Сборник тезисов докладов Второй научно-практической конференции ученых России и Хорватии в Дубровнике. М.: НИТУ МИСиС, 2020. - c. 108.

Получение и структура тонких гетероэпитаксиальных пленок InGaAsP/Si

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Получение и структура тонких гетероэпитаксиальных пленок InGaAsP/Si // Сборник материалов Шестого междисциплинарного научного форума с международным участием Новые материалы и перспективные технологии. 2020. – 1034 С.

Получение тонких пленок GaN/Al2O3 методом импульсного лазерного напыления

Девицкий О.В., Никулин Д.А. Получение тонких пленок GaN/Al2O3 методом импульсного лазерного напыления // Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2020. [Электронный ресурс]: тезисы докладов VII Международной молодежной научнойконференции, посвященной 100-летию Уральского федерального университета, Екатеринбург, 18-22 мая 2020 г. / отв. за вып. А. В. Ищенко. – Екатеринбург: УрФУ, 2020. – 22 Мбайт. 1 электрон. опт диск (CDROM).

Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей

Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48955.18077. R

Структура тонких пленок AlxGa1-xAs НА Si

Девицкий О.В., Осипян В.Б., Сысоев И.А. Структура тонких пленок AlxGa1-xAs НА Si // Актуальные вопросы современного материаловедения: материалы VI Международной молодежной научно-практической конференции (г.Уфа, 30 октября 2019 г.) / отв. ред. О.С. Куковинец. Уфа: РИЦ БашГУ, 2020. 128-134 с.

Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей

Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48955.18077. R






Патенты

№ 2020616823 от 23.06.2020 г. «Программа расчета параметров квантовых точек трёхкомпонентных твердых растворов на бинарных подложках соединений A3B5».

(n=2): Девицкий Олег Васильевич, Сысоев Игорь Александрович. Правообладатели: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Северо-Кавказский федеральный университет», Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук».