Мухортов Владимир Михайлович

доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник, заведующий лабораторией

Научная степень
Доктор наук

Тип подразделения
Научные подразделения

Телефон
 (863) 250-89-99

О персональных данных
Персональные данные размещены на основании письменного Согласия сотрудника на обработку персональных данных, оформленного в соответствии с статьей 9 Федерального закона от 27 июля 2006г. №152-ФЗ "О персональных данных"

Счётчик публикаций из личного профиля РИНЦ

Биография
1971 - окончил физфак РГУ по специальности радиофизика.
1978 - работая старшим научным сотрудником НИИ Физики при РГУ, защитил кандидатскую диссертацию по теме: "Исследование условий получения и особенностей сегнетоэлектрических свойств тонких пленок твердых растворов (Ba,Sr)TiO3".
1986 - удостоен почетного звания "Изобретатель СССР".
1989 - работал ведущим научным сотрудником в Институте общей физики Российской Академии Наук
2001 - защитил докторскую диссертацию "Гетероэпитаксия сложных оксидов".
2004 - заведующий лабораторией физики сегнетоэлектрических пленок в Южном научном центре РАН, по настоящее время.
2005 - профессор кафедры нанотехнологии физического факультета.

Сфера научных интересов
Механизмы роста гетероэпитаксиальных пленок сложных оксидов. Исследование свойств и разработка функциональных устройств наноэлектроники, оптоэлектроники и микроэлектромеханики на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок.

Опубликовано около 200 научных статей в отечественных и зарубежных журналах и тезисов докладов на отечественных и международных научных конференциях.


Публикации и монографии 2020-2022 гг.

2022





2021

Переключение поляризации в пленках слоистого титаната висмута с различной доменной структурой на кремниевой подложке
Год: 2021
Индексация: (5)- Публикация в сборнике статей (в трудах/материалах научных мероприятий), энциклопедии, справочнике, словаре, определителе, Красной книге - 3 балла
Всего авторов: 4
Аффилиация: 1
DOI публикации: Н/Д

Особенности гетероструктур (PbZr0,53Ti0,47O3)-Ba0.2Sr0.8TiО3–Si, с различной толщиной подслоя Ba0.2Sr0.8TiО3  для многобитовой памяти
Год: 2021
Индексация: (5)- Публикация в сборнике статей (в трудах/материалах научных мероприятий), энциклопедии, справочнике, словаре, определителе, Красной книге - 3 балла
Всего авторов: 3
Аффилиация: 1
DOI публикации: Н/Д





2020

Структурные и электрофизические свойства пленок цирконататитаната свинца на подложке Si(001) с подслоем Ba0.2Sr0.8TiО3.
Год: 2020
Индексация: (5)- Публикация в сборнике статей (в трудах/материалах научных мероприятий), энциклопедии, справочнике, словаре, определителе, Красной книге - 3 балла
Всего авторов: 4
Аффилиация: 1
DOI публикации: Н/Д

Возможность получения многобитовой памяти в гетероструктурах с тонкими сегнетоэлектрическими пленками со сложной доменной структурой
Год: 2020
Индексация: (5)- Публикация в сборнике статей (в трудах/материалах научных мероприятий), энциклопедии, справочнике, словаре, определителе, Красной книге - 3 балла
Всего авторов: 3
Аффилиация: 1
DOI публикации: Н/Д