Пащенко Ольга Сергеевна

Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Lunina M.L., Pashchenko O.S., Danilina E.M. Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition // NANOSYSTEMS-PHYSICS CHEMISTRY MATHEMATICS. — 2023.— Vol. 14.0, No 5.— P. 601—605. — DOI: 10.17586/2220-8054-2023-14-5-601-605.

Lunin L.S., Lunina M.L., Alfimova D.L., Pashchenko A.S., Pashchenko O.S., Donskaya A.V. Thin-Layer InAlPSbAs/InAs Heterostructures: Growth Kinetics, Morphology, and Structure // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. — 2023.— Vol. 17, No. 2.— P. 419—425. — DOI: 10.1134/S1027451023020301. Q

Lunin L.S., Lunina M.L., Alfimova D.L., Pashchenko A.S., Yakovenko N.A., Pashchenko O.S. AlxInyGa1–x–yPzAs1–z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters // Technical Physics Letters. – 2022. – Vol. 48. – P. 82–85.

Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Lunina M. L., Pashchenko O.S. Structural properties of GaInAsSbBi solid solutions grown on GaSb substrates // Technical Physics Letters. – 2022. – Iss. 5. – P. 52-55.

Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Kasyanov I.V., Pashchenko O.S., Nikulin D.A. Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. 2022. Vol. 743. P. 139064.

Пащенко А.С., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Данилина Э.М., Пащенко О.С., Касьянов И.В. Влияние металлоидов на структурные и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов AIIIBV // Труды Южного научного центра Российской академии наук. – 2022. – Т. 10. – С. 216-232. – DOI 10.23885/1993-6621-2022-10-216-232

Morphology and Structural Properties of AlGaInSbAs Epitaxial Films Grown on InAs Substrates // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. 2021. DOI: 10.1134/S1027451021030137. Q4

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. 2021. DOI: 10.1134/S1027451021060276. Q4

Варизонные гетероструктуры Alx InyGa1−x−yPzAs1−z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2021. DOI: 10.21883/PJTF.2021.20.51610.18907. R

Варизонные гетероструктуры Alx InyGa1−x−yPzAs1−z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2021. DOI: 10.21883/PJTF.2021.20.51610.18907. R

Effect of Bismuth on the Structural Perfection of Elastically Strained AlGaInSbBi Epitaxial Layers Grown on InSb Substrates // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. 2020. DOI: 10.1134/S1027451020040217. Q4

Isoperiodic GaxIn1 –xSbyAszP1 –y–z/InP Heterostructures for Planar p–n Photodiodes // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2020. DOI: 10.1134/S1063785020100077. Q4

Phase Transitions in Bismuth-Containing Elastostressed AlGaInSbBi-InSb Heterosystems // PHYSICS OF THE SOLID STATE. 2020. DOI: 10.1134/S1063783420040022. Q4

Synthesis from the liquid phase of bismuth-containing AlGaInAsP solid solutions on InP substrates: Growth kinetics, structural and luminescent properties // THIN SOLID FILMS. 2020. DOI: 10.1016/j.tsf.2020.138295. Q3

ИЗОПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GA--X--IN--1-X--SB--Y--AS--Z--P--1-Y-Z--/INP ДЛЯ ПЛАНАРНЫХ P-N-ФОТОДИОДОВ // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50044.18379. R

Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Физика и техника полупроводников. 2020. DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49505.9388. R

ИЗОПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GA--X--IN--1-X--SB--Y--AS--Z--P--1-Y-Z--/INP ДЛЯ ПЛАНАРНЫХ P-N-ФОТОДИОДОВ // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 2020. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50044.18379. R