Пащенко Александр Сергеевич

Структура

Учёный совет ЮНЦ РАН Лаборатория физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники

---

Научная степень

Кандидат наук

---

Тип подразделения

Научные подразделения

---

О персональных данных

Персональные данные размещены на основании письменного Согласия сотрудника на обработку персональных данных, оформленного в соответствии с статьей 9 Федерального закона от 27 июля 2006г. №152-ФЗ "О персональных данных"

---

Счётчик публикаций из личного профиля РИНЦ

---

Образование

2007 г. - «Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)». Микроэлектроника и твердотельная электроника. 2012. - «Северо-Кавказский государственный технический университет». Кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.07- Физика конденсированного состояния.

---

Тема диссертационной работы

«Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения», кандидатская.

---

Биография

Родился в 1985 г. Пащенко Александр Сергеевич 1985 года рождения. В 2007 году окончил Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)».
С октября 2010 года работает в Южном научном центре РАН. 11 мая 2012 года защитил кандидатскую диссертацию на тему: «Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения». 1 апреля 2013 года присуждена ученая степень кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.07 – «Физика конденсированного состояния».
Стаж научной и педагогической работы составляет 8 лет, в том числе стаж педагогической работы в образовательной организации высшего образования – 8 лет, из них 6 лет по научной специальности 01.04.07 – «Физика конденсированного состояния». Читает лекционные курсы и
ведет практические и лабораторные занятия по дисциплинам: «Фотопреобразователи солнечной энергии на основе наногетеропереходов», «Технология материалов и элементов электронной техники» и «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники». Руководит научно-исследовательской работой студентов, результаты которой отражаются в докладах на международных и всероссийских конференциях, публикациях.
В качестве исполнителя проводит научные исследования по отдельным разделам базовой темы «Разработка физических основ получения наноструктур с квантовыми точками в активных областях для оптоэлектронных приборов». Являлся исполнителем х/д тематик выполняемых ЮНЦ РАН с 2010 по 2016 гг. В настоящее время является руководителем трех грантов РФФИ.

---

Сфера научных интересов

: фундаментальные проблемы физики и технологии приборно-ориентированных полупроводниковых наногетероструктур.

---

Личные заслуги и награды

дипломом победителя конкурса работ молодых ученых на Международном форуме "Возобновляемая энергетика: пути повышения энергетической и экономической эффективности REENFOR - 2013"

---

Научная деятельность и достижения

Изучены физические закономерности латерального транспорта носителей заряда в многослойных полупроводниковых гетероструктурах InAs/GaAs. Разработан способ управляемого легирования в процессе ионно-лучевой кристаллизации полупроводниковых наноструктур.

---

Выигранные Гранты в качестве руководителя

2008-2009 – лауреат конкурса «У.М.Н.И.К.»
2016 – РФФИ №16-38-60127 «Управление физическими процессами роста и легирования напряженных AIIIBV гетерограниц и когерентных наноостровков».
2016 – РФФИ №16-08-01052 «Исследование процесса управления функциональными свойствами полупроводниковых фоточувствительных материалов выращенных ионно-лучевой кристаллизацией».
2016 – РФФИ №16-38-00575 «Исследование физических явлений на поверхности растущего слоя при управляемом легировании наноразмерных полупроводниковых пленок методом ионно-лучевой кристаллизации»

---

Педагогическая деятельность, преподаваемые дисциплины

Доцент кафедры «Физика и электроника» ЮРГПУ(НПИ) им. М.И. Платова. Читаемые дисциплины: «Фотопреобразователи солнечной энергии на основе наногетеропереходов», «Технология материалов и элементов электронной техники», «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники»

---

Знание иностранных языков, увлечения

Английский со словарем

---

Общее количество работ, их основная направленность

Работа Пащенко А.С. направлена на изучение физических закономерностей латерального транспорта носителей заряда в системах пониженной размерности, оптических и фотоэлек-трических явлений в многослойных полупроводниковых гетероструктурах и разработке способов управляемого легирования в процессе ионно-лучевой кристаллизации полупроводниковых наноструктур.

По результатам научной деятельности опубликованы 60 печатных работ

• патенты на изобретение – 1,
• свидетельства о государственной регистрации программ ЭВМ – 7.

Основные статьи, монографии, учебники

Список опубликованных статей за последние 5 лет:

1) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, E.N. Zhivotova, G.A. Erimeev, M.L. Lunina. Obtaining and doping of InAs-QD/GaAs(001) nanostructures by ion beam sputtering // (2017) Beilstein J.Nanotechnol. 8, 12–20. doi:10.3762/bjnano.8.2, Impact Factor 3.01

(http://www.beilsteinjournals.org/bjnano/single/articleFullText.htm?publicId=2190-4286-8-2).

2) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Thin-layer GaInSbAsPBi/GaSb heterostructures obtained from liquid phase in a temperature-gradient field // (2017) Crystallography Reports. Vol. 62, No. 1, PP. 139–143. doi: 10.1134/S1063774517010047, Impact Factor 0.529 (https://link.springer.com/article/10.1134/S1063774517010047).

3) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Effect of bismuth on

parameters of a GaInSbAsP solid solution grown on GaSb substrates // (2017) Inorganic Materials. Vol.

53, No. 1, PP. 57–64. Impact Factor 0.521 (https://link.springer.com/article/10.1134/S0020168517010010)

4) A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin, V.A. Irkha. Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon // (2016) Semiconductors. Vol. 50. Iss. 4. PP. 545-548. doi:10.1134/S1063782616040199, Impact Factor 0.783 (http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782616040199).

5) D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev. Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates // (2016) Physics of the Solid State. Vol. 58. Iss. 9. PP. 1751–1757. doi: 10.1134/S1063783416090055, Impact Factor 0.731

(http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063783416090055).

6) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, V.A. Irkha. Regularities of ion-beam-induced

crystallization and properties of InAs-QD/GaAs(001) semiconductor nanoheterostructures // (2016)

Nanotechnologies in Russia. Vol. 11. Iss. 7-8. PP. 435–443. doi: 10.1134/S1995078016040030, Impact

Factor 0.569 (http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1995078016040030).

7) S. Chebotarev, A. Pashchenko, L. Lunin, V. Irkha. Mass transfer of semiconductors at low flow argon ion beam sputtering // (2016) International Journal of Applied Engineering Research. Vol. 11. Iss. 3. PP. 1622-1629. Impact Factor 0.105 (https://www.ripublication.com/ijaer.htm).

8) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, V.A. Irkha, M.L. Lunina. Morphology and Optical Investigations of InAs-QD/GaAs Heterostructures Obtained by Ion-Beam Sputtering // (2016) Journal of Nanotechnology. Vol. 2016. Article number 5340218. doi: 10.1155/2016/5340218, Impact Factor 0.933 (https://www.hindawi.com/journals/jnt/2016/5340218/).

9) S.N. Chebotarev, A.S. Pashchenko, D.A. Arustamyan. Microcrystalline and amorphous photovoltaic silicon materials Performance optimization // (2016) Solid State Phenomena. Vol. 870. PP. 74-82. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.870.74, Impact Factor 0.314 (http://www.scientific.net/MSF.870.74).

10) A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, L.S. Lunin. Carrier transport in multilayer InAs/GaAs quantum dot heterostructures grown by ion beam crystallization// (2015), Inorganic Materials 51(3), pp. 197-200, doi: 10.1134/S0020168515020144, Impact Factor 0.376, (http://link.springer.com/article/10.1134/S0020168515020144).

11) Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Williamson A., Irkha V.A., Gamidov V.A. Ion beam crystallization of InAs/GaAs(001) nanostructures // (2015), Technical Physics Letters 41 (7), pp. 661-664, doi: 10.1134%2FS1063785015070056, Impact Factor 0.562,

(http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063785015070056).

12) Chebotarev S.N., Paschenko A.S., Lunin L.S., Irkha V.A. Features in the formation of Ge/Si

multilayer nanostructures under ion-beam-assisted crystallization //(2013) Technical Physics Letters

39(8) PP. 726 - 729, doi: 10.1134/S1063785013080178, Impact Factor 0.562

(http://link.springer.com/article/10.1134/S1063785013080178).

13) Lunin L.S., Chebotarev S.N., Pashchenko A.S. Structure of Ge nanoclusters grown on Si(001) by ion beam crystallization // (2013) Inorganic Materials 49 (5) PP. 435 - 438, doi: 10.1134/S0020168513050075, Impact Factor 0.376 (http://link.springer.com/article/10.1134/S0020168513050075).

14) Lunin L.S., Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Dudnikov S.A. Correlation between the size and

photoluminescence spectrum of quantum dots in InAs-QD/GaAs // (2013) Journal of Surface Investigation 7 (1) PP. 36 - 40, doi: 10.1134/S1027451013010138, Impact Factor 0.359 (http://link.springer.com/article/10.1134/S1027451013010138) .

15) Lunin L.S., Chebotarev S.N., Pashchenko A.S., Bolobanova L.N. Ion beam deposition of photoactive nanolayers for silicon solar cells // (2012) Inorganic Materials, Volume 48, Issue 5, pp. 439-444, doi: 10.1134%2FS0020168512050111, Impact Factor 0.376,

(http://link.springer.com/article/10.1134%2FS0020168512050111).

Список опубликованных монографии и учебных пособий за последние 5 лет:

1) Пащенко А.С., Пляка П.С., Пономаренко В.О. Ионно-плазменные технологии в микро- и наноэлектронике / А.С. Пащенко, П.С. Пляка, В.О. Пономаренко. – Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2013. – 176 с. ISBN 978-5-4358-0057-9;

2) Пащенко А.С. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. – Новочеркасск: ЮРГПУ(НПИ), 2016. – 64 с.;

3) Пащенко А.С. Фотоэлектрические преобразователи: лабораторный практикум. – Новочеркасск: ЮРГПУ (НПИ), 2016. – 41 с..

Публикации после 2020 года

2022

2021

2020