Structural properties of GaInAsSbBi solid solutions grown on GaSb substrates Год: 2022 Индексация: (1.4)- Web of Science Q4 - 20 баллов
AlxInyGa1–x–yPzAs1–z/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters Год: 2022 Индексация: (1.4.1)- Web of Science Q4 со ссылкой на ГЗ ЮНЦ РАН - 40 баллов
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition Год: 2022 Индексация: (1.3)- Web of Science Q3 - 25 баллов
Morphology and Structural Properties of AlGaInSbAs Epitaxial Films Grown on InAs Substrates Год: 2021 Индексация: (1.4.1)- Web of Science Q4 со ссылкой на ГЗ ЮНЦ РАН - 40 баллов
The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands Год: 2021 Индексация: (1.4.1)- Web of Science Q4 со ссылкой на ГЗ ЮНЦ РАН - 40 баллов
Варизонные гетероструктуры Alx InyGa1−x−yPzAs1−z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей Год: 2021 Индексация: (1.6.1) Web of Science RSCI со ссылкой на ГЗ - 15 баллов
Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры Год: 2020 Индексация: (1.6) Web of Science RSCI - 7,5 баллов
Synthesis from the liquid phase of bismuth-containing AlGaInAsP solid solutions on InP substrates: Growth kinetics, structural and luminescent properties Год: 2020 Индексация: (1.3)- Web of Science Q3 - 25 баллов
Isoperiodic GaxIn1 –xSbyAszP1 –y–z/InP Heterostructures for Planar p–n Photodiodes Год: 2020 Индексация: (1.4.1)- Web of Science Q4 со ссылкой на ГЗ ЮНЦ РАН - 40 баллов
Phase Transitions in Bismuth-Containing Elastostressed AlGaInSbBi-InSb Heterosystems Год: 2020 Индексация: (1.4)- Web of Science Q4 - 20 баллов
Effect of Bismuth on the Structural Perfection of Elastically Strained AlGaInSbBi Epitaxial Layers Grown on InSb Substrates Год: 2020 Индексация: (1.4)- Web of Science Q4 - 20 баллов
ИЗОПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GA--X--IN--1-X--SB--Y--AS--Z--P--1-Y-Z--/INP ДЛЯ ПЛАНАРНЫХ P-N-ФОТОДИОДОВ Год: 2020 Индексация: (1.6) Web of Science RSCI - 7,5 баллов