Лаборатория физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники

Телефон
8(918)515-38-09
Адрес
344006 г. Ростов-на-Дону, пр. Чехова 41
Эл. почта
as.pashchenko@gmail.com


Сотрудники

Пащенко Александр Сергеевич
кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, заведующий лабораторией

Структура лаборатории:

Научная группа технологии гетероструктур (г. Ставрополь)

Научная группа физики полупроводников (г. Новочеркасск)


Адрес: 344006 г. Ростов-на-Дону, пр. Чехова 41.
E-mail: as.pashchenko@gmail.com
Тел.: 8(918)-5153809 

Лаборатория создана 9 января 2019 г. в рамках реализации Стратегии научно-технологического развития РФ и Указа Президента РФ от 07.05.2018 г.  № 204 "О национальных целях и задачах развития Российской Федерации на период до 2024 г." 

Кадровый потенциал лаборатории

10 исполнителей, из которых: 8 в возрасте до 35 лет, 5 кандидатов наук, 3 магистра. 

Потенциал практического применения полученных научных и научно-технических результатов заключается в расширении номенклатуры применяемых полупроводниковых материалов за счет перехода от бинарных полупроводников к многокомпонентным полупроводниковым твердым растворам AIIIBV. Тематика исследований находится в полном соответствии со Стратегией научно-технологического развития Российской Федерации в части перехода к новым материалам и способам конструирования приборов наноэлектроники и фотоники нового поколения.

Деятельность лаборатории осуществляется в тесном научном сотрудничестве исполнителей с кафедрой физики и фотоники ЮРГПУ(НПИ) им. М.И. Платова (г. Новочеркасск); НОЦ фотовольтаики и нанотехнологий СКФУ (г. Ставрополь); лабораторией фотовольтаики ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург); институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ (г. Москва); ФТИАН ИМ. К.А. ВАЛИЕВА РАН (г. Москва), КубГУ (г. Краснодар).

Цели, задачи, направления исследований

Общей целью проекта является разработка новых полупроводниковых материалов с улучшенными функциональными свойствами и совместное решение физических и технологических проблем наногетероструктур на их основе, для эффективных устройств фотоники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники. Поставленная проблематика находится на стыке оптоэлектроники, наноэлектроники и фотоники.
Тематика исследований находится в полном соответствии со Стратегией научно-технологического развития Российской Федерации в части перехода к новым материалам и способам конструирования приборов наноэлектроники и фотоники нового поколения.
Направление исследований
Использование многокомпонентных твердых растворов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV в гетероструктурах вызывает все больший интерес исследователей из-за уникальных возможностей этих материалов. Выгодным преимуществом пятикомпонентных твердых растворов перед тройными и четверными является возможность независимого изменения ширины запрещенной зоны и параметра кристаллической решетки. Однако, твердые растворы характеризуются наличием областей спинодальных распадов, что приводит к ограничениям их состава и ширины запрещенной зоны. Увеличение количества компонентов в составе твердых растворов, несомненно, ведет к изменению структурных и оптических свойств таких гетеростурктур и способов их конструирования. Поэтому синтез новых материалов на основе твердых растворов и создание на их основе полупроводниковых гетероинтерфейсов является важной задачей для физики конденсированного состояния и физики полупроводниковых приборов.

Основные направления деятельности

- Изучение электрофизических свойств разработанных полупроводниковых наногетероструктур.
- Изучение структурных, оптических и фотоэлектрических свойств разработанных полупроводниковых твердых растворов.
- Разработка изовалентно легированных потенциальных барьеров на основе твердых растворов соединений III- V группы
- Термодинамический анализ спинодальных распадов твердых растворов на их устойчивость и упорядочение.
- Разработка методов синтеза из жидкой фазы, молекулярных, ионных и атомарных пучков полупроводниковых твердых растворов, а также создания на их основе гетероструктур для оптоэлектронных и фотонных устройств.
- Разработка новых полупроводниковых материалов на основе твердых растворов соединений III- V группы.
Использование многокомпонентных твердых растворов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV в гетероструктурах вызывает все больший интерес исследователей из-за уникальных возможностей этих материалов. Выгодным преимуществом пятикомпонентных твердых растворов перед тройными и четверными является возможность независимого изменения ширины запрещенной зоны и параметра кристаллической решетки. Однако, твердые растворы характеризуются наличием областей спинодальных распадов, что приводит к ограничениям их состава и ширины запрещенной зоны. Увеличение количества компонентов в составе твердых растворов, несомненно, ведет к изменению структурных и оптических свойств таких гетеростурктур и способов их конструирования. Поэтому синтез новых материалов на основе твердых растворов и создание на их основе полупроводниковых гетероинтерфейсов является важной задачей для физики конденсированного состояния и физики полупроводниковых приборов. В этой связи основные направления деятельности лаборатории включают:

Тематика проекта

«Разработка и создание полупроводниковых гетероинтерфейсов на основе многокомпонентных материалов для устройств СВЧ-электроники и фотоники» (2019-2021 гг.)

Значимые результаты

Изучена термодинамическая стабильность и разработаны методы синтеза из жидкой фазы и импульсного лазерного напыления твердых растворов GaInAsP, GaInAsBi, GaInAsSbBi на подложки GaAs, GaSb. Выявлены термодинамически устойчивые составы для получения слоев высокого структурного качества. Изучены антиструктурные дефекты в многокомпонентных твердых растворах и выявлены методы их снижения. Для новых твердых растворов GaInAsBi определен параметр кристаллической решетки. Полученные материалы имеют перспективу практического применения в солнечных элементах, лазерах, а также фотодетекторах инфракрасного диапазона. 

Основные публикации за 5 лет

2022
1) Devitsky O.V., Nikulin D.A., Sysoev I.A., Kononov Y.G., Zakharov A.A., Mitrofanov D.V. PLD Growth of InGaAsP Nanowires: Morphology Surface and Structural Property // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022.  St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. – P. 942-945. DOI 10.1109/ElConRus54750.2022.9755697
2) Devitsky O.V., Mitrofanov D.V., Sysoev I.A., Kononov Y.G., Zakharov A.A., Kravtsov A.A. Influence of Indium Concentration on the Structure and Surface Morphology of InGaAs Films Obtained by Liquid-Phase Epitaxy // Proceedings of the 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2022, St. Petersburg, 25–28 января 2022 года. 2022. P. 942-945. DOI 10.1109/ElConRus54750.2022.9755697
3) А.С. Пащенко, О.В. Девицкий, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, О.С. Пащенко. Структурные свойства твердых растворов GaInAsSbBi, выращенных на подложках GaSb // Письма в ЖТФ. – 2022. Т. 48. Вып. 10. – С. 24-27. DOI: 10.21883/PJTF.2022.10.52552.19164.
4) Pashchenko A.S., Devitsky O.V., Lunin L.S., Kasyanov I.V., Pashchenko O.S., Nikulin D.A. Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. – 2022. – Vol. 743. – P. 139064. DOI 10.1016/j.tsf.2021.139064
5) Devitsky O.V. Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates // AIP Conference Proceedings. – 2022. – Vol. 2466. – P. 030012. DOI 10.1063/5.0088641.

2021
1) Lunin L. S., Lunina M. L., Alfimova D. L., Pashchenko A. S., Pashchenko O. S.  Morphology and Structural Properties of AlGaInSbAs Epitaxial Films Grown on InAs Substrates // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2021. – Vol. 15. – No. 3. – P. 441–448. DOI: 10.1134/S10274510210301.
2) Bogatov N. M., Grigor’yan L. R., Kovalenko A. I., Kovalenko M. S., Lunin L. S. Pulse Response Characteristics of Silicon Photovoltaic Converters Irradiated with Low-Energy Protons // Technical Physics Letters. – 2021. – Vol. 47. – No. 4. P. 324–326. DOI: 10.1134/S1063785021040040.
3) Лунин Л.С., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л., Пащенко А.С., Яковенко Н.А., Пащенко О.С. Варизонные гетероструктуры AlxInyGa1−x−yPzAs1−z/GaAs для фотоэлектрических преобразователей // Письма в ЖТФ. – 2021. – T. 47. – Вып. 20. – С. 27-30. DOI: 10.21883/PJTF.2021.20.51610.18907
4) D. L. Alfimova, M. L. Lunina, L. S. Lunin, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, M. S. Stolyarov. The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2021. – Vol. 15. – No. 6. – P. 1290–1295. DOI: 10.31857/S1028096021120037
5) S. A. Siddiqui, A. V. Blinov, A. V. Serov, A. A. Gvozdenko, A. A. Kravtsov, A. A. Nagdalian, V. V. Raffa, D.G. Maglakelidze, A. A. Blinova, A.V. Kobina, A. B. Golik, S. A. Ibrahim. Effect of Selenium Nanoparticles on Germination of Hordéum Vulgáre Barley Seeds // Coatings. – 2021. – Vol. 11. – P. 862. DOI: 10.3390/coatings11070862.
6) A.V. Blinov, A.A. Gvozdenko, A.A. Kravtsov, S.O. Krandievsky, A.A. Blinova, D. G. Maglakelidze, D.S. Vakalov, D.M. Remizov, A.B. Golik. Synthesis of nanosized manganese methahydroxide stabilized by cystine // Materials Chemistry and Physics. – 2021. – Vol. 265. – P. 124510. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2021.124510.
7) M.S. Nikova, V.A. Tarala, F.F. Malyavin, D.S. Vakalov, V.A. Lapin, D.S. Kuleshov, A. A. Kravtsov, I. S. Chikulina, L.V. Tarala, E.A. Evtushenko, E.V. Medyanik, S. O. Krandievsky, A.V. Bogach, S.V. Kuznetsov. The scandium impact on the sintering of YSAG:Yb ceramics with high optical transmittance // Ceramics International. – 2021. – Vol. 47. – P.1772–1784. DOI: 10.1016/j.ceramint.2020.09.003.

2020
1) L.S. Lunin. Influence of radiation defects created by low-energy pronons at 83 K temperature on the characteristics of silicon photoelectric structures // Semiconductors. – 2020. – Vol. 54, – P. 196–200. DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48909.9255
2) Lunin L.S., Devitskii O.V., Kravtsov A.A., Pashchenko A. S. Polymer Films with Silver Nanoparticles Improve the Spectral Characteristics of Photovoltaic Converters // Technical Physics Letters. – 2020. – Vol. 46, – P. 98–101. DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48955.18077
3) Alfimova D.L., Lunina M.L., Lunin L.S., Pashchenko O.S., Pashchenko A.S., Yatsenko A.N. Bismuth Effect on Structural Perfection of AlGaInSbBi Elastic-Strained Epitaxial Layers Grown on InSb Substrates // Journal of Surface Investigations. – 2020. – Vol. 14. – No. 4. – pp. 771–776. DOI: 10.31857/S1028096020080038
4) L.S. Lunin, M.L. Lunina, D.L. Alfimova, A.S. Pashchenko, O.S. Pashchenko, N.M. Bogatov. AlGaInSbAs solid solutions grown on InAs substrates by zone recrystallization with a temperature gradient // Semiconductors. – 2020. – Vol. 54. – P. 759–764. DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49505.9388
5) Lunin L.S., Lunina M.L., Alfimova D.L., Pashchenko A.S., Pashchenko O.S. Phase Transitions in Bismuth-Containing Elastostressed AlGaInSbBi–InSb Heterosystems // Physics of the Solid State. – 2020. – Vol. 62. – P.597–602. DOI: 10.21883/FTT.2020.04.49114.440.
6) M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko. Isoperiodic
GaxIn1–xSbyAszP1 – y – z/InP heterostructures for planar p–n photodiodes // Technical Physics Letters. – 2020. – Vol. 46. – No. 10. – P. 979–982. DOI: 10.1134/S1063785020100077
7) M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, E. M. Danilina, O. S. Pashchenko. Synthesis from the liquid phase of bismuth-containing AlGaInAsP solid solutions on InP substrates: growth kinetics, structural and luminescent properties // Thin Solid Films. – 2020. – Vol. 711. – p.138295. DOI: 10.1016/j.tsf.2020.138295.
8) O. V. Devitsky, D. A. Nikulin, I. A. Sysoev. Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates // AIP Conference Proceedings. – 2020. – Vol 2313. – P.030012. DOI: 10.1063/5.0032227
9) Danilina E., Lunin L., Pashchenko O. Estimation of thermodynamic stability of GaInAsSb/GaAs and GaInAsP/GaAs isoperiodic epitaxial structures in cascade solar cells // URALCON 2020
10) Blokhin E.E., Irkha V.A. Modeling and analysis of functional characteristics of QD-InAs/GaAs heterointerface with multi-barrier layers IOP Conference Series Materials Science and Engineering
 
2019
1) L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, D.L. Alfimova, O.S. Pashchenko. Heterostructures GaxIn1-xAsyBizSb1–y–z/InSb for Photodetector devices // Technical Physics Letters. – 2019. – Vol. 45, No. 8. – P. 823–826. DOI: 10.21883/PJTF.2019.16.48152.17863.
2) L.S. Lunin, O.V. Devitskii, I.A. Sysoev, A.S. Pashchenko, I.V. Kas’yanov, D.A. Nikulin, V.A. Irkha. Ion-Beam Deposition of Thin AlN Films on Al2O3 Substrate // Technical Physics Letters. – 2019. – Vol. 45. No. 12. – P. 1237–1240. DOI: 10.21883/PJTF.2019.24.48797.18006
3) A. A. Kravtsov, M. S. Nikova, D. S. Vakalov, V. A. Tarala, I. S. Chikulina, F. F. Malyavin, O. M. Chapura, S. O. Krandievsky, D. S. Kuleshov, V. A. Lapin. Combined effect of MgO sintering additive and stoichiometry deviation on YAG crystal lattice defects // Ceramics International. – 2019. – Vol. 45. – Iss. 16, – P. 20178-20188, DOI: 10.1016/j.ceramint.2019.06.287
4) L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova. Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures // Technical Physics Letters. – 2019. – Vol. 45, –No. 3, - P. 250–252. DOI: 10.1134/S1063785019030313
5) D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, E. M. Danilina. On the properties of isoparametric AlInGaAsP/InP heterostructures // Semiconductors. – 2019. – Vol. 53. – No. 7. – P. 887–891. DOI: 10.1134/S1063782619070029
6) M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, E. M. Danilina, V. V. Nefedov. Effect of Bismuth on the Properties of Elastically Stressed AlGaInAsP〈Bi〉/InP Heterostructures // Semiconductors. – 2019. – Vol. 53. – No. 8. – P. 1088–1091. DOI: 10.1134/S1063782619080141
7) Danilina E., Astakhov V. Methods for eddy current energy losses reduction in vortex-layer devices // 2019 International Ural Conference, URALCON 2019, – P. 428-432. DOI: 10.1109/URALCON.2019.8877617.
8) Danilina E., Paschenko O. Mathematical model of electrodynamic suspension during passage of the guideway track joints // 2019 International Russian Automation Conference, RUSAUTOCON 2019, – P. 1-5. DOI: 10.1109/RUSAUTOCON.2019.8867643
 
2018
1. A.S. Pashchenko, L. S. Lunin, S. N. Chebotarev, M. L. Lunina. Study of the Structural and Luminescence Properties of InAs/GaAs Heterostructures with Bi-Doped Potential Barriers // Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 729–733.
2. L.S. Lunin, B.M. Sinel’nikov, I.A. Sysoev. Features of Ion-Beam Treatment of Sapphire Surface // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2018, Vol. 12, No. 5, pp. 898–901.
3. D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M.L. Lunina, A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, A. E. Kazakova, D. A. Arustamyan. Investigation of Structural Perfection of Thin-Film InAlGaPAs/GaAs Heterostructures // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2018, Vol. 12, No. 3, pp. 466–472.
4. L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.A. Kravtsov, I.A. Sysoev, A.V. Blinov, A.S. Pashchenko. Effect of the Ag Nanoparticle Concentration in TiO2–Ag Functional Coatings on the Characteristics of GaInP/GaAs/Ge Photoconverters // Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 993–996.
5. D.L. Alfimova, M.L. Lunina, L.S. Lunin, A.S. Pashchenko, A.E. Kazakova. The Effect of Bismuth on the Structural Perfection and the Luminescent Properties of Thin-Film Elastically Stressed AlxInyGa1–x–yBizSb1–z/GaSb Heterostructures // Physics of the Solid State, 2018, Vol. 60, No. 7, pp. 1280–1286.
6. A.S. Pashchenko, L.S. Lunin, E.M. Danilina, S.N. Chebotarev. Variation of the photoluminescence spectrum of InAs/GaAs heterostructures grown by ion-beam deposition // Beilstein J. Nanotechnol. 2018. 9. 2794–2801.
7. L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.E. Kazakova. Growing of AlInGaAsP Solid Solutions on InP Substrates for Photovoltaic Converters // Solid State Phenomena. 2018. Vol. 284, pp. 188-193.
  

Основные результаты (2019-2022 гг.) с фотографиями.

Функциональные оптические покрытия для оптоэлектронных устройств
Методом ионно-лучевого осаждения (ИЛО) на сапфировых подложках выращены тонкие пленки AlN.
Спектры пропускания тонких пленок AlN на сапфире
 
Результаты исследования оптических спектров пропускания показали, что для выращивания методом ИЛО пленок AlN с высокими значениями коэффициента пропускания (92%). Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о перспективности применения метода ИЛО для выращивания буферных слоев AlN на сапфире для оптоэлектронных устройств.
Разработан способ получения пленок поливинилбутираля с наночастицами серебра. Изучены свойства полученных пленок в качестве просветляющих покрытий для кремниевых фотоэлектрических преобразователей.
Спектральные зависимости внешнего квантового выхода кремниевых солнечных элементов с функциональным покрытием ПВБ−Ag с различной концентрацией серебра.

Проведенные экспериментальные исследования показывают, что пленки на основе ПБВ−Ag могут эффективно использоваться в качестве функциональных покрытий для кремниевых солнечных элементов.
Полупроводниковые твердые растворы для оптоэлектронных и фотонных устройств
Синтезированы из жидкой фазы с дополнительным температурным градиентом висмутсодержащие твердые растворы AlGaInAsP. Исследовано влияние висмута на кинетику синтеза твердого раствора AlGaInAsP, структурные и люминесцентные свойства.
 

Показано, что увеличение концентрации висмута в твердом растворе приводит к повышению структурного совершенства эпитаксиального слоя AlGaInAsP, а также к смещению основного пика фотолюминесценции гетероструктур AlGaInAsPBi/InP в длинноволновую область из-за уменьшения ширины запрещенной зоны.

 
Синтезированы твердые растворы GaInAsSbBi с различным содержанием Bi на подложках n-GaSb с разориентацией 6° между плоскостями (100) и (111)А. Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции установлено, что пленки имеют поликристаллическую структуру. Показано, что в пленках с меньшим содержанием Bi толщина переходного аморфного слоя на гетерогранице «слой-подложка» уменьшается.
 
 

Результаты исследования показывают, что твердые растворы GaInAsSbBi с xBi < 5 at. %, выращенные на разориентированных подложках GaSb имеют перспективу для использования в качестве переходных буферных слоев в полупроводниковых наногетероструктурах.
 
Синтезированы твердые растворы GaInAsP на подложках GaAs методом импульсного лазерного осаждения и изучено влияние плотности потока лазерного излучения на морфологию и структуру пленок.
 

 
 
 
Результаты элементного анализа поверхности образца GaInAsP методом EDX: а) — область сканирования; b) таблица количественных результатов; c) картирование элементов по области сканирования; d) спектры EDX тонкой пленки GaInAsP.

В дальнейших исследованиях мы планируем развить полученные результаты и изучить оптические и фотоэлектрические свойства выращенных пленок для практических приложений. Мы ожидаем, что пленки GaInAsP, текстурированные микрокаплями индия на поверхности, могут быть использованы в устройствах, основанных на поверхностном плазмонном эффекте.

 Участие в конференциях

2015
1. Чеботарев С.Н. Особенности ионно-лучевой кристаллизации полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур // докл. 6-я международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники "Мокеровские чтения", 20-21 мая 2015 г., г. Москва. - Москва: изд-во МИФИ. 2015. С. 60-62.
2. Чеботарев С.Н., Williamson A. Ионно-лучевое формирование нанокластеров InAs/GaAs(001): докл. IV межд. молод. симп. «Физика бессвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (анализ современного состояния и перспективы развития)», 2-6 сентября 2015 г., г. Ростов-на-Дону, г. Туапсе, Россия. - Ростов-на-Дону: Изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ АПСН, 2015. Вып. 4. Т.2 С.248-254.
3. Чеботарев С.Н., Лунина М.Л. Анализ упругих напряжений в наногетероструктурах InAs-QD/GaAs методом комбинационного рассеяния // докл. межд. конф. «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», 13-19 сент. 2015 г., г. Краснодар. - Краснодар: изд-во КубГУ, 2015. С. 3-7.
4. Пащенко А.С., Лунин Л.С. Латеральный перенос носителей заряда в гетероструктурах InAs/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Всероссийской научной конференции (13-19 сентября 2015 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар, 2015. С. 7-11.
5. Пащенко А.С., Гамидов В.А. Фотолюминесценция гетероструктур i-GaxIn1-xAs/n-GaAs с квантовыми точками InAs // Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития) (LFPM-2015). Труды Четвертого Международного междисциплинарного молодежного симпозиума.  - г. Ростов-на-Дону - г. Туапсе, 2-6 сентября 2015 год. Вып. 4. Том 2. С. 131-135. Издательство Южного Федерального университета, 2015.
6. Пащенко А.С. Моделирование функциональных характеристик гетероструктур AlGaAs/GaAs и GaAs/GaSb // Мокеровские чтения. 6-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 20−21 мая 2015 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2015. С. 115-116.
7. Лунина М.Л. Гетерофазные равновесия в системе GaInPAsBi // Мокеровские чтения. 6-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 20−21 мая 2015 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2015. С. 87- 88.
8. Лунина М.Л. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов GaInSbAsPBi/GaSb // Физика безсвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития) (LFPM-2015). Труды Четвертого Международного междисциплинарного молодежного симпозиума.  - г. Ростов-на-Дону - г. Туапсе, 2-6 сентября 2015 год. Вып. 4. Том 2. С. 40-42. Издательство Южного Федерального университета, 2015
 
2016
1. Пащенко А.С. Управляемое легирование наноразмерных полупроводниковых пленок в процессе ионно-лучевой кристаллизации // Мокеровские чтения. 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 25 мая 2016 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ. 2016. − С. 95.
2. Лунина М.Л. Изопериодные гетероструктуры GaInPSbAs/InAs // Мокеровские чтения. 7-я Международная научно-практическая конфереция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 25 мая 2016 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ. 2016. − С. 69.
3. Чеботарев С.Н., Ирха В.А., Еримеев Г.А., Яценко А.Н. Ионно-лучевая кристаллизация упругонапряженных наногетероструктур InAs-QD/GaAs // Мокеровские чтения. 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 25 мая 2016 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ. 2016. − С. 79.
4. Лунин Л.С., Алфимова Д.Л., Арустамян Д.А. «Оптоэлектроника на многокомпонентных наногетероструктурах» // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 3-7.
5. Пащенко А.С., Блохин Э.Е. Гетероструктуры InAs/GaAs для ИК диапазона // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 8-12.
6. Чеботарев С.Н., Еримеев Г.А., Гончарова Л.М. Ионно-лучевая кристаллизация упругонапряженных наноструктур InAs-QD/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 13-18.
7. Лунина М.Л., Казакова А.Е. Закономерности кристаллизации из жидкой фазы исвойства гетероструктур GaInSbAsPBi/GaSb // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXI Международной научной конференции (18-24 сентября 2016 г., Краснодар): Кубанский гос. ун-т. - Краснодар. 2016. С. 19-23.
 
2017
1. Пащенко А.С. Влияние Bi на структурные и оптические свойства гетероструктур InAs/GaAs // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. − с. 114.
2. Лунина М.Л., Алфимова Д.Л., Казакова А.Е. Исследования совершенства и свойств изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конфереция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. − с. 112.
3. Лунин Л.С., Арустамян Д.А., Мунтяну Е.Г. Многокомпонентные гетероструктуры A3B5 на Si-подложках для фотопреобразователей // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. − с. 64.
4. Пащенко А.С., Данилина Э.М. Потенциальные барьеры GaAsBi для гетероструктур InAs/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXIII международной научной конференции – Краснодар: Кубанский государственный университет, 17-22 сентября 2017. – с. 271.
5. Арустамян Д.А., Лунин Л.С. Исследование свойств гетероструктур
GaxIn1-xP1-yAsy/GaAs(InP) и характеристик фотоэлектрических преобразователей на их основе // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXIII международной научной конференции – Краснодар: Кубанский государственный университет, 17-22 сентября 2017. – с. 115.
6. Казакова А.Е., Лунина М.Л. Выращивание и исследование гетероструктур InAsGaPAs/GaAs // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XXIII международной научной конференции – Краснодар: Кубанский государственный университет, 17-22 сентября 2017. – с. 180.
7. Пащенко А.С., Блохин Э. Е., Пономаренко Е. М., Данилина Э.М. Гетероструктуры InAs/GaAs с потенциальными барьерами GaAsBi // Тезисы конференции ФизикА.СПб/2017. ФТИ им. Иоффе РАН, 24-26 октября, 2017 г.  С. 304.
8. Lunin L.S., Alfimova D.L., Lunina M.L. Growth and investigation of thin-layer GaInSbAsPBi/GaSb heterostructures // The 9th International conference on advanced materials, ROCAM 2017 & The 2nd international symposium on dielectric materials and applications, ISyDMA, Romania, Bucharest, 11-14 July 2017.
9. Л.С. Лунин, А.С. Пащенко. Фотопреобразователи на основе многокомпонентных гетероструктур. Школа молодых ученых «Высокоэффективные солнечные фотоэнергосистемы». 9 ноября 2017 г. Санкт-Петербург.
 
2018
1. A.S. Pashchenko, E.M. Danilina, N.M. Bogatov. Research of influence Al on luminescence and dark current-voltage characteristics of InAs/GaAs heterostructures // 5th International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2018” on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures carries on the tradition of annual conferences and schools organized at St Petersburg Academic University for students, PhD students and young scientists, 2-5 april 2018. St. Petersburg Academic University, St Petersburg, Russia, 2018, pp. 36-37.
2. А.С. Пащенко, Л.С. Лунин. Свойства висмутсодержащих многокомпонентных тонких пленок, выращенных на подложках (III)Sb // Материалы XXIV Международной научной конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (под науч. ред. В.А. Исаева, А.В. Лебедева), 16 - 22 сентября 2018 г. − Краснодар: Кубанский гос. ун-т, 2018. − 372 с.
3. Казакова А.Е., Лунин Л.C., Лунина М.Л., Арустамян Д.А. Исследование люминесцентных свойств гетероструктур AlGaInAsP/InP // Мокеровские чтения. 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 23 мая 2018 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2018. − с. 76.
4. А.С. Пащенко, Л.С. Лунин. Многокомпонентные твердые растворы для фотовольтаики. Школа молодых ученых «Высокоэффективные солнечные фотоэнергосистемы». 7 ноября 2018 г. Санкт-Петербург.
 
2019
1. Пащенко А.С., Лунин Л.С., Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Данилина Э.М., Пащенко О.С. Висмутсодержащие тонкие пленки изопериодные бинарным подложкам AIIIBV // Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная
научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 15-16 мая 2019 г.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2019. − 204 с. 

Научное оборудование.

Научная группа технологии наногетероструктур (г. Ставрополь) 

  • Установка молекулярно-лучевой эпитаксии
  • Экспериментальная установка ионно-лучевого осаждения
  • Экспериментальная установка импульсного лазерного напыления
  • Рентгеновский измерительный комплекс РИКОР

 
Научная группа физики полупроводниковых гетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники (г. Новочеркасск) 

  • Установка на базе ртутного зонда для измерения вольтфарадных характеристик и профилей концентрации носителей заряда в полупроводниковых структурах.
  • Сканирующий электронный микроскоп ZEISS EVO 50 XVP с приставкой энергодисперсионного микроанализатора EDAX.
  • Лазерный 3D-микроскоп KeyenceVK-9700.
  • Импульсный имитатор солнечного излучения для измерения нагрузочных вольтамперных характеристик фоточувствительных наногетероструктур.
  • Установка для измерения спектральных зависимостей внешнего квантового выхода полупроводниковых микро- и наноструктур.
  • Установка для измерения спектров фотолюминесценции полупроводниковых микро- и наноструктур в диапазоне от 320 - 6000 нм.

 
10. Любая дополнительная информация (фото)
 
 
Руководитель лаборатории, в.н.с. Пащенко А.С.

г.н.с., д.ф.-м.н., профессор Лунин Леонид Сергеевич
 


 
Рабочие моменты
 
 
Профессор Лунин Л.С. с аспирантами
 

 
 
Алфимова Д.Л. во время работы за оптическим микроскопом
 
 
Лунина М.Л. работает за газофазным реактором
 
 
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии

 
 
Лапин В.А. и Касьянов И.В. во время работы за установкой молекулярно-лучевой эпитаксии

 
 
 
Корчагин В.И. работает с установкой импульсного лазерного напыления
 
Девицкий Олег за установкой ионно-лучевого осаждения

 

Обсуждение результатов термодинамического анализа многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов
 
 
Установка измерения спектров фотолюминесценции полупроводниковых структур
 
Измерительный рентгеновский комплекс «Рикор»
Фотография и конструкция экспериментальных образцов солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge с покрытием TiO2-Ag

Публикации сотрудников в журналах
 

 


 
Опубликованные монографии